桥式mosfet管死区时间设置问题

死区时间是要考虑下面一些因素
导通时间td(on)=25.5ns(典型值)~50ns(最大值),上升时间tr=180.7~360ns,关断时间td(off)=94.5ns(典型值)~200ns(最大值),下降时间tf=142.5~300ns.
那么,设置死区时间是要用典型值还是最大值;是td(on)+tr和td(off)+tf的最大值,还是td(on)和td(off)的最大值?
请教高手指点迷津!