我的电路原理图中,P2口加入12V电源和一个负载电阻,通过驱动芯片MAX4429输出信号驱动mosfet,mosfet的导通速度很快,ns级,但是关断速度却很慢,us级,而且通过测试,发现在不同负载下例如1k和500欧,负载电阻越小,开关速度变快了,真是有些不明白了
我现在需要把开关速度都提升到ns级,我这个电路参数是否需要修改,请大家帮助,谢谢啊!
CL去掉,并上反向二极管,效果不明显,我将P2口输入电压抬高至24V,MOS关断时间下降到800ns,但是还是不够快,技术手册上可以达到
我怎么没看明白这个ID=4A是个什么意思?RL不是应该串在回路中吗?
不好意思,菜鸟请求帮忙指教下啊,谢谢!
可以再Rg上并联一个103或104的电容试试!
栅极没有泄放回路呵!
要更快的的话,和IGBT一样加反偏。