EMI整改总结

1MHZ以内，以差模干扰为主。

1.增大X电容量；

2.添加差模电感.

2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；

3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。

5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法（整改建议）

对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；

4.改变PCB LAYOUT；  

5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；

8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9.可以用增大MOS驱动电阻.  

30M以上要怎样整改，有那些好的建议？

五． 30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。（整改建议）

1.可以用增大MOS驱动电阻；

2.RCD缓冲电路采用1N4007 慢管； 

3.VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感； 

5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； 

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；  

8.PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；