IGBT开通时的电流尖峰

改变门极电阻可以改变这种情况.
不过你要确定你所测到的是不效波形而不是干扰波形.

尖峰通常是续流二极管反向恢复电流造成的,较好的办法是适当降低IGBT开通时间,但相应会增加开通功耗.只有折中考虑.

不错,但不知楼主的负载是不是感性负载,如果不是感性负载或是在空载时那么就不受体内二极管的影响,
在变频器中IGBT休内二极管导致模块功耗加大与尖峰电流,对于这方面的改善不知大虾有何高见,谢谢!!!

对于你所提的问题,正如你上面所说,适当增加门极电阻,降低开通速度,是目前常用的办法,有些文献资料中说,用active gate drive技术可以有效减小高di/dt产生的EMI问题.但我想最根本的办法还是要在功率集成电路的制造技术上

我们全桥是采用EXB841的驱动模块,门级电阻为15欧,试着减小门级电阻到5欧或是增大到25欧,50欧,开关管的电流过充都没有改善.桥壁上串入小的电感可以改善电流过充,但是IGBT集射级的电压又畸变了.缓充电路采用的是直接在直流母线端并0.47u的无感电容.是不是IGBT型号的问题,要换别的牌子的IGBT.不知道为什么图片贴不上来,谢谢大家了!

应该是续流二极管的反向恢复造成的,你用的什么二极管,还是用IGBT模块内部集成的二极管?

IGBT内部集成了反向二极管

这个是开关管电流,开通时电流尖峰很大.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175825954.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上面是占空比大时,下面这张是占空比小的时候的波形
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下面这张是IGBT电压波形500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826053.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

不对哦,二极管的反向恢复电流应该在给其加反向电压是产生,也就是说在这里应该是在关断时产生,而非是在开启时产生啊.

顶!期待高手帮助分析一下!

请问你带的是什么负载测的,纯阻性?亦或感性?

经过滤波电感后带了一个电炉,应该是纯阻吧

你用FAIRCHILD的IGBT   FGL60N100BNTD就没这种问题!

你做的死区时间很长啊

感觉你的波形都不是很好,电压波形也不对.虽然关断电压尖峰很小,但为什么导通时,电压会有一个震荡?
你的检测电阻是放在哪里的?如何检测的?

现在有工作到满载么?有没有发生炸管的问题

我是专业生产各种铝电解电容器的,很高兴在这里认识各位,希望能个大家交个朋友,有需要的请跟我联系,竭诚为你服务!

从图上看,前沿电流尖峰应与电容有关或上下管中有一管略有延时,此情况常有,如发热不大,可忽略.其原因可能与管子质量有关.

改变你的输出电路中LCR的参数

ce外接电容,极间电容,c极尖峰吸收

好

赞同你的观点!顶!

IGBT 自身不好,很难解决,建议更换别的IGBT试试.串入电感的做法虽可缓解电流尖峰,但又会形成大的集电极电压,当然如果实验得当取值合理也可解决了这个问题,但比较难!