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全桥变换器中的一个低级问题——但为什么大家都回避它?

第一次做全桥逆变器,功率管用IRF540,如图所示,调试时发现上面两管的发热明显比下面两管厉害,观察波形发现:上面两管在导通期间DS两端有近3V的压降,由于没有完全导通,导致开关管发热.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103992264.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

    分析上面所示电路,当栅极G上的驱动脉冲高电平为对地12V时,在源极S上最多只能得到10V的电压,而无法得到与漏极D相当的12V电压(即使D到S流过的电流很小也如此),这感觉有点类似普通三极管b到e端0.7V的PN结的压降.
    但我翻阅的资料上全桥变换器都是这样用的,似乎大家对由此产生的温升不屑一顾——采用变压器驱动应该不存在上述问题,但除此之外有更好的办法吗?曾想用P沟道的MOSFET代替两个上管,但P沟道功率管用的少,好难找,价钱也应该不低.
    ——不知以上分析是否正确,望各位大侠赐教.我等…我等等等…
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gyzzg
LV.6
2
2004-12-26 08:19
驱动电路有问题
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LV.1
3
2004-12-26 09:41
Q1改为变压器驱动哪?应对Q1加单独驱动.
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pw2185
LV.5
4
2004-12-26 16:55
上面两管在导通期间DS两端有近3V的压降,是DS过热后的导通内阻所至,G极12V/P-P值IRF540己完全足可导通,你应优化其它电路.
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overall
LV.5
5
2004-12-26 19:11
成熟产品中没有人这样驱动上管,这样不对.原因如你所说.
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小飞
LV.2
6
2004-12-26 19:44
@gyzzg
驱动电路有问题
非常感谢!
驱动信号应该是足以将MOS管导通的,我曾经做过如下图所示的直流静态测试500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1104061314.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
实测Vo的电压也只有不到10V.相反,如果把射极电阻改到集电极,则集电极会完全导通(测得集电极电压为0)
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小飞
LV.2
7
2004-12-26 19:47
@
Q1改为变压器驱动哪?应对Q1加单独驱动.
万分感谢!
请问实际应用中除了变压器驱动之外还有其它的方法吗?
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小飞
LV.2
8
2004-12-26 19:49
@overall
成熟产品中没有人这样驱动上管,这样不对.原因如你所说.
多谢大侠指点!
请问实际应用中除了变压器驱动之外还有别的办法吗?
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mr.lan
LV.7
9
2004-12-26 20:14
@小飞
多谢大侠指点!请问实际应用中除了变压器驱动之外还有别的办法吗?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1104063258.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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xspang
LV.4
10
2004-12-26 21:33
@pw2185
上面两管在导通期间DS两端有近3V的压降,是DS过热后的导通内阻所至,G极12V/P-P值IRF540己完全足可导通,你应优化其它电路.
非也!非也!您看当上管截止时Vs=0,vg=12V,如果管子导通后,Vs=12V,Vg=12V,Vgs=Vg-Vs=?????;还能导通吗???
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xspang
LV.4
11
2004-12-27 16:18
@pw2185
上面两管在导通期间DS两端有近3V的压降,是DS过热后的导通内阻所至,G极12V/P-P值IRF540己完全足可导通,你应优化其它电路.
kk!
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njhill
LV.3
12
2004-12-27 20:40
驱动变压器没加屏蔽层
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小飞
LV.2
13
2004-12-29 09:56
@mr.lan
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1104063258.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
看来非用P-FET不可了,多谢大侠指点!
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2004-12-29 10:05
用自举电路吧.分立元件就可以了.不需要专门供24V的电压.网内找一下,已经看到过很好的这方面的帖子.其它IC,好象是IR21XX,成本高些,但是好用.
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