各位大哥,不好意思,可能让您觉得有些受骗的感觉,没有办法,我发了一个帖子一个星期没有人理会,我真的真的很需要帮忙.谢谢大哥了!!
帮我看看这个变压器参数吧看看有什么不合理的地方,提点意见和建议,谢谢大家了!
要求:输入电压:9--36V,输出电压:12V 输出电流:5A
Vcc=17V Iovcc =0.1A 给控制器供电的绕组.
使用了反激变换器:效率g=85%, fs=100KHZ, Dmax=0.45
计算步骤如下:帮我看看,高手们!
1)确定△B
选择TDK的PC40材料,经过查表:ui=2300±25%,Pvc=410KW/m~3(@100KHZ,100度温度条件),Bs=390mT, Br=55mT(@100度温度条件)
选择△B=60%Bm=0.6*(390-55)=0.6*335=200mT
2)确定磁心尺寸
1.求AP
AP=Aw*Ae=(Pt*10`4)/2*△B*fs*J*Ku=[(60/0.85+60)*10`4]/(2*0.2*100*10`3*400*0.2)=0.41cm`4
2.确定形状和规格,经过查表,选择EI28磁心,参数如下:
Ae=86mm`2, Aw=69.8mm`2, Al=6060nH/N`2, le=48.2mm,
Ap=0.6cm`4, Ve=4150mm`3, Pe=107W,(100Khz).
3) 估算CCM和DCM的临界电流IoB
以IL达80%Iomax时为临界点设计变压器.
即: IoB=80%*Iomax=0.8*5=4A
4)求匝比n
n=(Vinmin/Vo+Vf)*[Dmax/(1-Dmax)]=( 9/12+0.5 ) *0.45/0.55=0.59
5)求CCM和DCM临界状态的副边峰值电流△IsB
△IsB=2*IoB/(1-Dmax)=2*4/(1-0.45)=14.55A
6) 求副边电感Ls和原边电感Lp
Ls=[(Vo+Vf)*(1-Dmax)] / fs*△IsB=[(12+0.5)*(1-0.45)] / (100*10`3*14.55)=4.725uH
Lp=n`2*Ls=0.59`2*4.725=1.645uH
电感值为临界电感值
7)求CCM时,副边峰值电流△Isp
Isp=Iomax / (1-0.45) + △IsB/2=5/1-0.45+14.55/2=16.365A
8)求CCM时,原边峰值电流△Ipp
Ipp=△Isp/n=16.365/0.59=27.7A
9)确定Np, Ns
1. Np=Lp*△Ipp / (△B*Ae)=1.645*27.2 / (0.2*86)=2.649匝, 取整数匝Np=3匝
2. Ns= Np/n=3/0.59=5.08匝, 取整数匝Ns=5匝
3. 求Nvcc, 就是给控制器供电的绕组.
求每匝伏特数Va, Va=(Vo+Vf)/Ns=(12+0.5)/5=2.5V/匝
Nvcc=(Vcc+Vf)/Va=(17+1)/2.5=7.2匝, 取整数Nvcc=7匝
10)计算漆包线直径dw
1.求dwp(原边线圈直径)
由原边有效值电流Iprms=Po/g/Vinmin=60/0.85/9=7.843A
Awp=Iprms/J=7.843/4=1.96mm`2, 查表得,取dwp =1.6mm,(式中J是电流密度,取的是4A/mm`2)
2.求dws(副边线圈直径)
Aws=Io/J=5/4=1.25mm`2, 查表得,取dws =1.3mm
3. dwvcc(控制器供电绕组)
Awvcc=Iovcc / J=0.1/4=0.025mm`2 查表得,取dwvcc =0.18mm
问题:电流峰值我觉得好大,还有电感量我也觉得太小了.这样好不好调节啊?
有的人说用反激结构好,有的人说用推挽结构好,我觉得用推挽结构是不是好点呢?
高手们指点指点,看怎么样?
那些地方不合适,或者不合理,希望你们都说说....谢谢你们啦.......
搞DC-DC隔离电源的进来看看!
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@hg1981
公式都是那么算的,只是实际的时候还是有所不同的,边做边改
谢谢,谢谢各位大哥了....祝你们圣诞节快乐啊....呵呵....
看几位高手的回复,是不是就是说这个结构和参数还算比较合适,
只是在实际制作中需要通过修改,调试才能得到最好的效果啊?
小弟总是觉得那个初级的峰值电流太大了27A,电感太小了.
还有不明白就是,在整个输入范围内,按照原理来说初级线圈的电压是不变的,初级电压就是用最大占空比和最小输入电压来确定,那么当输入电压是36V全负载的时候,占空比最小,MOS管导通的时间最小,那么这时候初级峰值电流会超过27A啊,那我的MOS管的额定电流是不是按照最大输入电压,且全负载来确定啊?
在网上找的资料都是AC-DC的,计算出来初级的电流都不大,虽然我这个是DC-DC的,初级电流大是必然的,但是大的总感觉好像不合适.....27A..27A...
看几位高手的回复,是不是就是说这个结构和参数还算比较合适,
只是在实际制作中需要通过修改,调试才能得到最好的效果啊?
小弟总是觉得那个初级的峰值电流太大了27A,电感太小了.
还有不明白就是,在整个输入范围内,按照原理来说初级线圈的电压是不变的,初级电压就是用最大占空比和最小输入电压来确定,那么当输入电压是36V全负载的时候,占空比最小,MOS管导通的时间最小,那么这时候初级峰值电流会超过27A啊,那我的MOS管的额定电流是不是按照最大输入电压,且全负载来确定啊?
在网上找的资料都是AC-DC的,计算出来初级的电流都不大,虽然我这个是DC-DC的,初级电流大是必然的,但是大的总感觉好像不合适.....27A..27A...
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@liufan
谢谢,谢谢各位大哥了....祝你们圣诞节快乐啊....呵呵....看几位高手的回复,是不是就是说这个结构和参数还算比较合适,只是在实际制作中需要通过修改,调试才能得到最好的效果啊?小弟总是觉得那个初级的峰值电流太大了27A,电感太小了.还有不明白就是,在整个输入范围内,按照原理来说初级线圈的电压是不变的,初级电压就是用最大占空比和最小输入电压来确定,那么当输入电压是36V全负载的时候,占空比最小,MOS管导通的时间最小,那么这时候初级峰值电流会超过27A啊,那我的MOS管的额定电流是不是按照最大输入电压,且全负载来确定啊?在网上找的资料都是AC-DC的,计算出来初级的电流都不大,虽然我这个是DC-DC的,初级电流大是必然的,但是大的总感觉好像不合适.....27A..27A...
可以用正激试下
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