请问这两个电路有什么不同
为什么图腾柱是左边这个呢? 怎么理解 我觉得导通不了 500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/64/253671208306622.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@zucc508
对于图腾柱电路左边的是对的 但是我不明白其中的原理 还有三极管be极电压一定是0.7伏吗?有些三极管好像可以达到1点几伏望高手回答
你的电子基础太差了,或许两年后很多东西自然会明白的.
很简单的,图腾柱往往适合驱动CMOS,当信号为高电平时,左边的上管导通给CMOS的栅源电容充电,使CMOS开通,下管是截止的,当信号为低电平时,上管截止,栅源电容因前面充满了电而是一个电压源,此时通过下管放电,使CMOS截止,你怎么能说发射极是悬空的呢,也有这种电路是去驱动功率三极管,这个下管导通是为了抽取发射结电子,加快截止.事实上这两个电路都是对的,但右边的对元件参数要求严一些,否则容易误导通或导通不彻底.
三极管be极电压一定是0.7伏吗?自己动手用NPN管做下试验就知道了,如果基极加的不是脉冲信号,而是一个电源源,基极一定要串一个约1K的电阻,电阻这边加的电压不论多高,Vbe最高也只会是0.8V,只是电压升高后,Ibe会很大而烧掉,这在设计时要考虑,调节这个电压,Vbe也会有所变化(0~0.8V),一般来说,你会看到在0.4V时进入放大,此时Vce在2V以上,当Vbe为0.7V时,进入饱和,Vce在1V以下了.当然有的进入饱和Vbe要有1.多V,与内部结构材料有关.
很简单的,图腾柱往往适合驱动CMOS,当信号为高电平时,左边的上管导通给CMOS的栅源电容充电,使CMOS开通,下管是截止的,当信号为低电平时,上管截止,栅源电容因前面充满了电而是一个电压源,此时通过下管放电,使CMOS截止,你怎么能说发射极是悬空的呢,也有这种电路是去驱动功率三极管,这个下管导通是为了抽取发射结电子,加快截止.事实上这两个电路都是对的,但右边的对元件参数要求严一些,否则容易误导通或导通不彻底.
三极管be极电压一定是0.7伏吗?自己动手用NPN管做下试验就知道了,如果基极加的不是脉冲信号,而是一个电源源,基极一定要串一个约1K的电阻,电阻这边加的电压不论多高,Vbe最高也只会是0.8V,只是电压升高后,Ibe会很大而烧掉,这在设计时要考虑,调节这个电压,Vbe也会有所变化(0~0.8V),一般来说,你会看到在0.4V时进入放大,此时Vce在2V以上,当Vbe为0.7V时,进入饱和,Vce在1V以下了.当然有的进入饱和Vbe要有1.多V,与内部结构材料有关.
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@qwxy
你的电子基础太差了,或许两年后很多东西自然会明白的.很简单的,图腾柱往往适合驱动CMOS,当信号为高电平时,左边的上管导通给CMOS的栅源电容充电,使CMOS开通,下管是截止的,当信号为低电平时,上管截止,栅源电容因前面充满了电而是一个电压源,此时通过下管放电,使CMOS截止,你怎么能说发射极是悬空的呢,也有这种电路是去驱动功率三极管,这个下管导通是为了抽取发射结电子,加快截止.事实上这两个电路都是对的,但右边的对元件参数要求严一些,否则容易误导通或导通不彻底.三极管be极电压一定是0.7伏吗?自己动手用NPN管做下试验就知道了,如果基极加的不是脉冲信号,而是一个电源源,基极一定要串一个约1K的电阻,电阻这边加的电压不论多高,Vbe最高也只会是0.8V,只是电压升高后,Ibe会很大而烧掉,这在设计时要考虑,调节这个电压,Vbe也会有所变化(0~0.8V),一般来说,你会看到在0.4V时进入放大,此时Vce在2V以上,当Vbe为0.7V时,进入饱和,Vce在1V以下了.当然有的进入饱和Vbe要有1.多V,与内部结构材料有关.
顶, 左边适合驱动电流型, 右边适合驱动电压型...
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@qwxy
你的电子基础太差了,或许两年后很多东西自然会明白的.很简单的,图腾柱往往适合驱动CMOS,当信号为高电平时,左边的上管导通给CMOS的栅源电容充电,使CMOS开通,下管是截止的,当信号为低电平时,上管截止,栅源电容因前面充满了电而是一个电压源,此时通过下管放电,使CMOS截止,你怎么能说发射极是悬空的呢,也有这种电路是去驱动功率三极管,这个下管导通是为了抽取发射结电子,加快截止.事实上这两个电路都是对的,但右边的对元件参数要求严一些,否则容易误导通或导通不彻底.三极管be极电压一定是0.7伏吗?自己动手用NPN管做下试验就知道了,如果基极加的不是脉冲信号,而是一个电源源,基极一定要串一个约1K的电阻,电阻这边加的电压不论多高,Vbe最高也只会是0.8V,只是电压升高后,Ibe会很大而烧掉,这在设计时要考虑,调节这个电压,Vbe也会有所变化(0~0.8V),一般来说,你会看到在0.4V时进入放大,此时Vce在2V以上,当Vbe为0.7V时,进入饱和,Vce在1V以下了.当然有的进入饱和Vbe要有1.多V,与内部结构材料有关.
谢谢 qwxy 开始我也觉得Vbe是0.7伏左右 但是后来我看了9013普通三极管的datasheet确实上面Vbe有1点几伏 我附上图不知我的理解是否错了500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/64/253671208417178.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 253671208417291.pdf
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右边肯定是错的,没有这样接的.
原因呢?二楼已经说了,这样接当输入电压处于中间时,两管同时导通短路.如果必需用这样的接法,要加限流措施.
左边呢,上面不少大侠已经说了,输出部分总是要接线路的,不管是接直流还是有电容(COM管输入相当于一个电容),总是有电压的(0也算).
单三极管BE间,只要是硅管,正常导通状态电压必定在0.7V上下,误差超不过0.1、0.2V,低于这个值不是截止就是BE短路,高于这个值说明这个管子肯定坏了,BE间开路.
当然也有特殊的管子,有一种复合管,内部是两只管子复合,正常工作时“BE”间是两个be电压的相加.
左边这个电路用于“开关”电路,线性电路也有这样用的,但要在两管B极间加偏置电路,使两管有个初始电流,减少交越失真.
原因呢?二楼已经说了,这样接当输入电压处于中间时,两管同时导通短路.如果必需用这样的接法,要加限流措施.
左边呢,上面不少大侠已经说了,输出部分总是要接线路的,不管是接直流还是有电容(COM管输入相当于一个电容),总是有电压的(0也算).
单三极管BE间,只要是硅管,正常导通状态电压必定在0.7V上下,误差超不过0.1、0.2V,低于这个值不是截止就是BE短路,高于这个值说明这个管子肯定坏了,BE间开路.
当然也有特殊的管子,有一种复合管,内部是两只管子复合,正常工作时“BE”间是两个be电压的相加.
左边这个电路用于“开关”电路,线性电路也有这样用的,但要在两管B极间加偏置电路,使两管有个初始电流,减少交越失真.
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@njyd
右边肯定是错的,没有这样接的. 原因呢?二楼已经说了,这样接当输入电压处于中间时,两管同时导通短路.如果必需用这样的接法,要加限流措施. 左边呢,上面不少大侠已经说了,输出部分总是要接线路的,不管是接直流还是有电容(COM管输入相当于一个电容),总是有电压的(0也算). 单三极管BE间,只要是硅管,正常导通状态电压必定在0.7V上下,误差超不过0.1、0.2V,低于这个值不是截止就是BE短路,高于这个值说明这个管子肯定坏了,BE间开路. 当然也有特殊的管子,有一种复合管,内部是两只管子复合,正常工作时“BE”间是两个be电压的相加. 左边这个电路用于“开关”电路,线性电路也有这样用的,但要在两管B极间加偏置电路,使两管有个初始电流,减少交越失真.
想一起寻找合作做电源的,找机会的 加群43107594
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