关于NMOSFET的测试问题

最近在测试NMOSFET的时候，发现一个问题，求大神解答，具体问题如下

问题一：就是在测试MOS管的耐冲击电流的是候，给个脉冲，然后用负载机带电流去冲击，脉冲分几个挡位，比如10ms冲击一次，就发现个问题，在关断的时候在DS之间会有很高的尖峰，冲击电流越大，这个电压越高，特别是超过100A的时候，超过MOS管的耐压，继续下去就会烧掉，在DS端加电容，反而没有这个问题

问题二:在问题一的基础上DS间加电容，测试两种差不多的MOS管，发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小，这是为什么，两种级别差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而冲击电流小？，这是什么原因，耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗

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LV.5

2018-01-19 10:47

问题一：冲击电流越大，MOSFET寄生电感产生的尖峰电压越大。在DS间加上高压小电容有利于吸收这个电压尖峰。

问题二：没看明白你的意思。

LV.2

2018-01-19 10:49

@小学渣

问题一：冲击电流越大，MOSFET寄生电感产生的尖峰电压越大。在DS间加上高压小电容有利于吸收这个电压尖峰。问题二：没看明白你的意思。

就是将MOS管剪开，里面的芯片有大有小，这个大小与冲击电流有关吗，大的冲击电路要大？

LV.5

2018-01-19 10:54

@六月s

就是将MOS管剪开，里面的芯片有大有小，这个大小与冲击电流有关吗，大的冲击电路要大？

这个应该与散热有关。大块的能承受相对大的冲击电流所产生的热量。

LV.2

2018-01-19 11:24

@小学渣

这个应该与散热有关。大块的能承受相对大的冲击电流所产生的热量。

但是大的冲击电流小

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