• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖
  • 论坛首页
  • PI论坛
  • 为什么汽车级芯片InnoSwitch3-AQ采用StackFET技术来增加耐压呢？

为什么汽车级芯片InnoSwitch3-AQ采用StackFET技术来增加耐压呢？

     InnoSwitch3-AQ主用是用在汽车应用中，符合 AEC-Q100 标准，还要通过ISO/TS 16949的质量验证，汽车级的芯片要求更高，对于参数要求更严格，如果母线电压达到 400V，采用内部 集成的750V 的耐压，如果母线电压达到800V就采用StackFET技术并一个MOS管的增加耐压，采用800V的母线电压，，同时输出二极管采用Qspeed 汽车级整流二极管搭配都可以提高电源的效率，减少热量。能否讲讲为什么PI不采用IGBT等耐压高的管子，而是采用StackFET技术来增加耐压呢？

全部回复(18)
正序查看
倒序查看
lx25hb
LV.8
2
2021-07-11 16:43

如果对电源的效率要求比较高，可以采用同步整流，如果对成本有要求，可以采用普通的二极管。

0
回复
uf_1269
LV.8
3
2021-07-11 16:50
@lx25hb
如果对电源的效率要求比较高，可以采用同步整流，如果对成本有要求，可以采用普通的二极管。

如果使用普通的二极管整流，可以采用PI的Qspeed汽车级整流二极管。

0
回复
cb_mmb
LV.8
4
2021-07-11 16:52

InnoSwitch3-AQ设计可在很大的输入电压范围内实现小于10 mW的空载能耗。

0
回复
trllgh
LV.9
5
2021-07-11 16:59
@cb_mmb
InnoSwitch3-AQ设计可在很大的输入电压范围内实现小于10mW的空载能耗。

StackFET方法就是在初级测叠加另外一个MOSFET，这样能够很好地应对800V母线电压的需求。

0
回复
大海的儿子
LV.10
6
2021-07-11 17:01
@uf_1269
如果使用普通的二极管整流，可以采用PI的Qspeed汽车级整流二极管。

Qspeed是类似于SiC特性的二极管，但成本要便宜很多的。

0
回复
dianre888
LV.6
7
2021-07-12 12:39
@trllgh
StackFET方法就是在初级测叠加另外一个MOSFET，这样能够很好地应对800V母线电压的需求。

是的，串联后，电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3上的电压，这样就可以增加耐压了。

0
回复
spowergg
LV.10
8
2021-07-12 12:44
@dianre888
是的，串联后，电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3上的电压，这样就可以增加耐压了。

如果单个MOS管的话，800V的母线电压，耐压要1000V左右了，MOS管这么高的电压型号比较少。

0
回复
xxbw6868
LV.9
9
2021-07-12 12:48
@大海的儿子
Qspeed是类似于SiC特性的二极管，但成本要便宜很多的。

具体要选择同步整流，还是二极管整流，主要还是看客户的需求。

0
回复
beakline
LV.6
10
2021-07-12 12:54
@spowergg
如果单个MOS管的话，800V的母线电压，耐压要1000V左右了，MOS管这么高的电压型号比较少。

可以选择IGBT的，SIC等开关管压，但是成本会比较高一些。

0
回复
dbg_ux
LV.9
11
2021-07-12 17:23
@beakline
可以选择IGBT的，SIC等开关管压，但是成本会比较高一些。

StackFET除了增加耐压功能，还可以增加电源的散热条件。

0
回复
kckcll
LV.9
12
2021-07-12 17:29
@xxbw6868
具体要选择同步整流，还是二极管整流，主要还是看客户的需求。

一般来说二极管整流更具成本优势，同步整流更加高效。

0
回复
gxg1122
LV.10
13
2021-07-13 18:45
@trllgh
StackFET方法就是在初级测叠加另外一个MOSFET，这样能够很好地应对800V母线电压的需求。

对的，这样保证产品的耐压足够高，在汽车应急电源的输入电压范围均可正常工作。

0
回复
gxg1122
LV.10
14
2021-07-13 18:46
@dianre888
是的，串联后，电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3上的电压，这样就可以增加耐压了。

是的串联的作用，毕竟母线800V的电压要求比较高的。

0
回复
gxg1122
LV.10
15
2021-07-13 18:46
@kckcll
一般来说二极管整流更具成本优势，同步整流更加高效。

这个设计技术要求看怎么提的了。高效率的设计选择同步整流还是比较好。

0
回复
原来会员名可以很长的
LV.9
16
2021-07-16 19:25
@trllgh
StackFET方法就是在初级测叠加另外一个MOSFET，这样能够很好地应对800V母线电压的需求。

方案所需的元件数极少，无散热片都是通过PCB面积来散热的。

0
回复
henchsuen1984
LV.5
17
2021-09-20 08:46

IGBT的驱动复杂开关频率也低，同价格区间

0
回复
石工在线
LV.3
18
2021-11-25 16:10

看起来好像耐压效果更好。汽车电子里面抗浪涌是一项重要的指标。

0
回复
electronicLee
LV.4
19
2021-11-25 16:24

目前汽车成熟后对成本控制比较明显，另外一个就是体积问题，IGBT不能提供较高的频率以及拖尾现象所以很难做

0
回复
立
即
发
帖