DER-889Q利用功率集成的INN3996CQ描述了30-1200VDC输入，12V/1.25A电源
变压器一次侧一端连至直流母线，另一端至高压MOSFET（Q1），MOSFET是连接至INN3996CQ IC（U1），内部集成功率MOSFET，有效漏源额定电压为1700 VPK。高压陶瓷电容器C1和C2用于传感器去耦电容，D1、D3、R4、R1、R2和C3组成低成本RCD钳位，由于变压器漏感的影响，在1200 VDC输入下，电压约为1460 V。电容C7/Y电容器，用于衰减高频公共信号噪声。IC是自启动的，使用内部高压电流源为BPP充电。反激绕组使用二极管D2以及电容器C4进行整流和滤波，齐纳二极管VR1和VR2将最大漏极-源极电压钳制在800V一下，VR3确保Q1的最大栅极源电压不超过15 V。
INN3996CQ 二次侧提供输出电压、输出电流驱动同步整流MOSFET。12V输出的输出整流由SR FET Q2和Q3提供。低ESR电容器C11、C12、C13、C16、C17和输出电感器L1提供滤波。RC缓冲器由用于Q2和Q3的R9、R10和C8组成的网络可抑制整个网络的高频振铃，Q2和Q3的门级通过R8和IC的FWD引脚检测绕组电压。
在连续传导模式操作中，功率MOSFET在二次侧控制器一个新的控制切换周期命令之前关闭。在不连续模式下，当MOSFET上的压降低于GND时，MOSFET关闭。一次侧MOSFET的二次侧控制确保其永不开启，同时采用同步整流MOSFET。
二次侧控制确保它永远不会与同步整流一次侧MOSFET的同时开启。MOSFET驱动信号在SR引脚上输出。IC的二次侧由二次绕组正向电压或输出电压自供电。输出电压为设备供电，馈入VO引脚。
