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120W反激电源264V输入时炸MOS

哪位高手能够分析一下什么原因,谢谢.宽范围输入,输出42V3A,高压开机时会炸MOS,芯片为NCP1217,频率为100K,变压器EI33,带风扇,感量110UH.
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11119
LV.6
2
2008-11-14 15:15
反射电压高了,导致在输入电压高端时MOS的电压高了
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zhangxiongwu
LV.1
3
2008-11-14 16:17
@11119
反射电压高了,导致在输入电压高端时MOS的电压高了
不会吧,我用的是650V管子,匝比是20:12,我怀疑是变压器瞬间饱和了.
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ytdfwangwei
LV.8
4
2008-11-14 17:17
变压器设计的问题吧,你再好好计算一下,应该不是过压而是过流
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frankk
LV.4
5
2008-11-14 17:26
你那变压器是怎么设计的
输入电压怎么取400伏来算? 占空比? 为什么?
好像带PFC 的变压器 算法不一样???
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zhangxiongwu
LV.1
6
2008-11-14 18:36
@frankk
你那变压器是怎么设计的输入电压怎么取400伏来算?占空比?为什么?好像带PFC的变压器算法不一样???
输入电压85-264V,没有PFC.
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yuyan
LV.9
7
2008-11-14 18:40
@computerpower
变压器的电感量太小,至少也要500uH.电感量小了对MOS管的冲击很大,高压输入时就更是了,你的电源输出率又不是很大,才100W我有一款数字功率电源峰值功率都去到了7A,也是用EI-33的,我的电感是600uH.而且在相同的情况下,电感较小时,变压器的温升还更高一点.
多半是变压器饱和
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zhangxiongwu
LV.1
8
2008-11-14 18:40
@computerpower
变压器的电感量太小,至少也要500uH.电感量小了对MOS管的冲击很大,高压输入时就更是了,你的电源输出率又不是很大,才100W我有一款数字功率电源峰值功率都去到了7A,也是用EI-33的,我的电感是600uH.而且在相同的情况下,电感较小时,变压器的温升还更高一点.
这与开关电源的频率有关吧,原来因为线圈温度太高,才改频率,并把线径加粗的,温度问题解决了,把温度转移到MOS上了,但是有块板出现炸机现象了.
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ice127
LV.4
9
2008-11-17 16:46
@zhangxiongwu
这与开关电源的频率有关吧,原来因为线圈温度太高,才改频率,并把线径加粗的,温度问题解决了,把温度转移到MOS上了,但是有块板出现炸机现象了.
初级圈数少了,变压器饱和
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hfchance
LV.4
10
2008-11-17 16:58
110uH感值可能低了,原边感值必须要满足在最大输入电压满载情况下,磁芯不能饱和!
另外,你变压器的变比是多少?
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computerpower
LV.8
11
2008-11-17 17:25
变压器的电感量太小,至少也要500uH.
电感量小了对MOS管的冲击很大,高压输入时就更是了,
你的电源输出率又不是很大,才100W
我有一款数字功率电源峰值功率都去到了7A,也是用EI-33的,我的电感是600uH.
而且在相同的情况下,电感较小时,变压器的温升还更高一点.
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老钟电源IC
LV.11
12
2012-10-17 13:25
@zhangxiongwu
不会吧,我用的是650V管子,匝比是20:12,我怀疑是变压器瞬间饱和了.

有这个可能性.

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老钟电源IC
LV.11
13
2012-10-17 13:28
@ytdfwangwei
变压器设计的问题吧,你再好好计算一下,应该不是过压而是过流
楼主最好把D,S,G,的波形用示波器,抓出来给大家看看,好判断一些.
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老钟电源IC
LV.11
14
2012-10-17 13:30
@ice127
初级圈数少了,变压器饱和

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