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EMI 問題求助 (附圖) !!!

EMI 問題求助 (附圖) !!!

目前在做一款60W反激式電源 :12V/4.25A,5V/2A. 在測試輻射無法通過,請各位
高手們看看: (附件:線路圖,Layout,EMI輻射測試圖)
變壓器是三明治繞法: 初級-屏蔽-次級并繞(12V疊繞)-屏蔽-初級-輔助.
圈比: 50:4:9, L:650uH.
在測試時試過在Y電容,高壓二极体,開關MOS加CORE,二极体換慢管,驅動電阻加大到75歐姆,最好的結果如文件測試圖.
客戶要求最好有6db余量,目前有4個點較高,各位看看有什么建議.... 1593811228446584.doc

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LV.2

2

2008-12-05 11:54

沒人來看看嗎,自己頂下...

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LV.8

3

2008-12-05 13:54

@zsm000

沒人來看看嗎,自己頂下...

6DB要求有点高了,没有任何东东西时那机器扫出来都有很高一条水平线了,
PCB图次级地线似乎分为3部份,变压器输出引脚到整流管及电容的连线尺可能粗短,并避免跳线.

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LV.2

4

2008-12-05 14:47

@abing

6DB要求有点高了,没有任何东东西时那机器扫出来都有很高一条水平线了,PCB图次级地线似乎分为3部份,变压器输出引脚到整流管及电容的连线尺可能粗短,并避免跳线.

次級地有用跳線連起來.貼圖沒貼好.
压器输出引脚到整流管及电容的连线盡可能粗短--我覺得這部分還好吧.
200M那附近的應該不是電源引起的吧??

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LV.8

5

2008-12-06 09:18

@zsm000

次級地有用跳線連起來.貼圖沒貼好.压器输出引脚到整流管及电容的连线盡可能粗短--我覺得這部分還好吧.200M那附近的應該不是電源引起的吧??

很多时候可能不是你所想的应不应该,先看看下面的吧:
http://user.qzone.qq.com/408480318/blog/1227550692

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LV.4

6

2008-12-06 10:46

1.有个疑问---LCD TV 不是要测Clamp吗?你怎么测的是R.
2.除了第1,2点是你power的外,其它应是你系统的(是配系统测的吧?).

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LV.2

7

2008-12-06 15:29

@生到熟

1.有个疑问---LCDTV不是要测Clamp吗?你怎么测的是R.2.除了第1,2点是你power的外,其它应是你系统的(是配系统测的吧?).

CE的过了,现在RE的没过.搭配LCD TV测的,不管是不是系统的都得压下去啊.

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LV.2

8

2008-12-06 15:36

@abing

很多时候可能不是你所想的应不应该,先看看下面的吧:http://user.qzone.qq.com/408480318/blog/1227550692

那个是你整改的?怎么看出来要改那里?

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LV.8

9

2008-12-06 18:50

@zsm000

那个是你整改的?怎么看出来要改那里?

是在一个长47mm的PCB板上所产生的辐射干扰,而且确定为PCB布线引起的,如果单从测试结果看你会认为是那里出现的问题呢?

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LV.4

10

2008-12-06 21:13

@zsm000

CE的过了,现在RE的没过.搭配LCDTV测的,不管是不是系统的都得压下去啊.

从你这个辐射波形上可以看出应该在输出端引起.
我的经验判断一般:
30---50MHZ
普遍是MOS管高速开通关断引起,
可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决.
100---200MHZ
普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠
建议你可以试试我的方法,或者在你的负载DC线卡一个大磁环,哪个很方便的.
你可以试试,有具体问题在讨论!

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LV.2

11

2008-12-08 07:41

@太阳の光

从你这个辐射波形上可以看出应该在输出端引起.我的经验判断一般:30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决.100---200MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠建议你可以试试我的方法,或者在你的负载DC线卡一个大磁环,哪个很方便的.你可以试试,有具体问题在讨论!

谢谢,我这两天就去测试,有结果再回复上来.

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LV.8

12

2008-12-08 09:36

@zsm000

谢谢,我这两天就去测试,有结果再回复上来.

在我的测试中,开始时我也是加磁珠,输入与输出都加,效果很好,但我的产品很小不允许这样加,后来只改变了电容位置就可以了,从理论上应可以这样分析电源本身有较大电压电流变化率,产生了向空间辐射的电磁波,在输入与输出加磁珠相当于破坏了它的发射天线,而改PCB可以直接降低干扰的产生.两种方法都可以达到减小干扰的目的.

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LV.2

13

2008-12-08 11:00

@abing

是在一个长47mm的PCB板上所产生的辐射干扰,而且确定为PCB布线引起的,如果单从测试结果看你会认为是那里出现的问题呢?

如果按我這邊做的話,會在高壓二极体負端和Y電容二次側加CORE,加這兩個整條曲線效果應該會有改善. 你說的"由于电容引线过长及布线回路太大" 能不能畫個圖說明下阿.

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LV.2

14

2008-12-08 11:11

@abing

在我的测试中,开始时我也是加磁珠,输入与输出都加,效果很好,但我的产品很小不允许这样加,后来只改变了电容位置就可以了,从理论上应可以这样分析电源本身有较大电压电流变化率,产生了向空间辐射的电磁波,在输入与输出加磁珠相当于破坏了它的发射天线,而改PCB可以直接降低干扰的产生.两种方法都可以达到减小干扰的目的.

問下,你是怎么測試出是哪部分或哪個零件的LAYOUT出問題的?我現在改輻射一般都是加CORE.我也想改改LAYOUT,但是沒什么概念.

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LV.4

15

2008-12-08 12:00

@zsm000

問下,你是怎么測試出是哪部分或哪個零件的LAYOUT出問題的?我現在改輻射一般都是加CORE.我也想改改LAYOUT,但是沒什么概念.

怎么样测试的有效果吗?期待结果!

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LV.2

16

2008-12-08 12:22

@太阳の光

怎么样测试的有效果吗?期待结果!

还没有测试,后天去测.

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LV.8

17

2008-12-08 13:34

@zsm000

还没有测试,后天去测.

请问你是在那里测试的?

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LV.2

18

2008-12-08 15:20

@abing

请问你是在那里测试的?

廣州賽寶.

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LV.2

19

2008-12-10 19:45

@zsm000

廣州賽寶.

測試檔案沒傳過來,先掃描兩張上來.
今天主要去試了在輸出端加CORE,輸入電解電容并個104電容,高壓二极体串電阻,
主要還是100M左右和200M這兩點超出.
我的LIPS里面CCFL背光電源頻率是50KHZ,會不會是這個引起的.

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LV.2

20

2008-12-10 19:46

@zsm000

廣州賽寶.

1593811228909595.pdf

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LV.8

21

2008-12-11 09:24

@zsm000

1593811228909595.pdf

以前没搞过EMI,认为很好搞,后来去测了几次发现与设计前所相差别很大,再说我也只搞过两三次,从经验上说还嫩着呢,所以光在这里说可能没太多实用意义,要有机会你拿来深圳我和你一起去整改,看能否可以帮你解决问题.

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LV.7

22

2008-12-13 15:28

@zsm000

1593811228909595.pdf

您是整机测还是只有电源板带假负载单独进去测?以我的经验,电源不会在这么高的频点辐射超标.

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LV.3

23

2008-12-13 23:49

@abing

很多时候可能不是你所想的应不应该,先看看下面的吧:http://user.qzone.qq.com/408480318/blog/1227550692

你改的是什么电容的位置啊,能贴上电路图详细说明一下嘛?
谢谢了

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LV.3

24

2008-12-14 12:42

加大驱动电阻,加磁珠,调整RC,输出电感L001加大,次级整流回路优化,

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LV.6

25

2008-12-14 20:00

@moon_qi

加大驱动电阻,加磁珠,调整RC,输出电感L001加大,次级整流回路优化,

OB2269, 最好频率不要用在65K 55K就是好了,
1.可以在D002处并一个681的电容,不需要用IN4007
2.驱动电阻改到100欧左右
3.还有你的接地二个Y电容为什么一个接共模前面, 一个接共模后面呀,需要统一嘛.

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LV.6

26

2008-12-15 13:05

@michael1

OB2269,最好频率不要用在65K 55K就是好了,1.可以在D002处并一个681的电容,不需要用IN40072.驱动电阻改到100欧左右3.还有你的接地二个Y电容为什么一个接共模前面,一个接共模后面呀,需要统一嘛.

我有个电源是12V1A的(TH201方案)带假负载还有6个以上的余量.但是一和猫接起来就好的只有2个,差的就超了.是在700K那有一个,在3M那还有一个,同时还发现和电源AC端的线有相当大的关系(国标卧式的壳子)打开壳子不让板架在AC线上就好了,加铜皮在AC插脚和PCB之间也好了,这是怎么回事?

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LV.2

27

2008-12-15 14:02

我也来凑个热闹.
问个有点小白的问题:图中ZD002和R014的作用.
各位见笑...

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LV.2

28

2008-12-16 09:53

@abing

以前没搞过EMI,认为很好搞,后来去测了几次发现与设计前所相差别很大,再说我也只搞过两三次,从经验上说还嫩着呢,所以光在这里说可能没太多实用意义,要有机会你拿来深圳我和你一起去整改,看能否可以帮你解决问题.

不好意思,好几天沒上了. 可惜我們公司和賽寶有協議,一般都只能到那里測試.

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LV.2

29

2008-12-16 10:01

@changlun

您是整机测还是只有电源板带假负载单独进去测?以我的经验,电源不会在这么高的频点辐射超标.

是整机測試,19帖的圖是有在輸出二极体加CORE的,沒加的時候會有4點超出:104M,
148M,200M,260M.

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LV.2

30

2008-12-16 11:09

@michael1

OB2269,最好频率不要用在65K 55K就是好了,1.可以在D002处并一个681的电容,不需要用IN40072.驱动电阻改到100欧左右3.还有你的接地二个Y电容为什么一个接共模前面,一个接共模后面呀,需要统一嘛.

OB2269剛開始用,65k是FAE建議的,改成55K有什么說法嗎?
我的開關MOS溫度有些高了,驅動電阻不敢再改大.
Y電容這樣放是為了省出空間出來,是參考別家樣品.
我在電子負載測試這樣會影響輸出紋波,對EMC影響還沒試,不過開始測傳導是過了.

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LV.2

31

2008-12-16 11:10

@protel2004

我也来凑个热闹.问个有点小白的问题:图中ZD002和R014的作用.各位见笑...

穩壓

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