学习第3集氮化镓应用

PI的独特封装给输出大功率电源提供了很好的支撑，过流能力大，散热热阻小。

氮化镓开发的芯片虽然成本贵点， 但整个效率质量提升不少，对于高附加值高可靠性的产品来说是值得的。

PI的芯片能实现并联的均流工作，是因为可以很方便的通过I2C总线读取每个电源的输出电流大小，进而实现。均流控制。

除了常规的氮化镓功率芯片之外，PI还可根据客户的需求定制料号.

随着各大手机和笔电厂商相继入局，氮化镓快充已经逐渐成为一种行业趋势。

氮化镓技术走集成化的路线，简单、高效、高可靠性。把MOSFET和控制器以及一些外围器件集成在一起，简化客户的设计和生产。

GaN作为第三代半导体材料，与传统主流的硅材料相比，禁带宽度大、导热率高。

GaN器件能够承载更高的能量密度，承受更高的温度，支持的频率更高。

由于电子饱和速度快，具有较高的载流子迁移率，GaN器件开关速度更快。

而且GaN器件导通电阻小，能效更高，但是成本更高，在驱动上更复杂些。

GaN应用场合很广得，可应用于开关电源，功率因数校正，电机驱动，逆变器，UPS等场合。

GaN技术用以提升转换效率及小体积的散热性能。转换效率的提升，可以提高功率密度，减小体积。

除了在快充上的应用以外，以上氮化镓功率器件还可以应用在相同功率段的智能家电，LED照明，小型工业设备电源等领域。

氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，在相同的导通电阻条 件 下 ，可 实 现 更 小尺寸及更低电容。

提高转换效率的同时，提升电源的功率密度，就是成本相对来说比较高。

电容及电感影响开关速度，没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。

降低器件的散热需求，使充电器具备更大的输出功率，更多的输出接口，氮化镓功率器件的推出，首先应用在快充充电器上。

GaN充电器可以使用较小的变压器和较小的机械散热器，因此整体重量可减少15-30％

氮化镓有易驱动，无反向恢复的优势，非常适合于硬开关应用

其实用购买氮化镓的钱，完全可以用MOS怼出来同样的结果。

优势是可以随处买到零件。

GaN充电器可以使用较小的变压器和较小的机械散热器，因此整体重量可减少15-30％。

这是花大钱了，就是贵

功率密度越做越大，对于器件的要求也越来越高

成本确实是个问题

使同功率充电器的体积只有原来的一半大小，同时效率也得到同步的提升，降低充电器的散热需求。这意味着在相同尺寸和相同输出功率的情况下，充电器外壳温度将比传统充电器更低

氮化镓有易驱动，无反向恢复的优势，非常适合于硬开关应用。通过应用氮化镓器件到充电器中，消除了体二极管的电容充放电损耗，提高了电源转换效率

GaN的价格有点高，GaN的产品也相对高，如果第一点的话会更容易扩大市场

GaN的开关IC氮化镓还是比较有优势的，性价比是很高的

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。厉害

氮化镓类电源器件最大的优势是工作效率比传统器件更高，所以在相同功率下，热耗低，发热小，可以进而取消散热片