InnoSwitch3-EP系列集成900V的MOSFET的离线反激式开关芯片,在原来集成725V MOSFET的基础上增加了三个型号,INN3692C,INN3694C,INN3696C,采用了特有的FluxLink技术,简单来说,就是在芯片内部集成初级侧和次级侧两块电路,在芯片内部利用磁性感应技术进行隔离与通信,从而起到了光耦的作用。
电源输入电压范围为90VAC~420VAC,两路输出5V/0.3A和12V/0.7A,其满载时效率大于85%,5V稳压稳流精度小于±5%,12V稳压稳流精度小于±15%,输入范围内的空载功耗最大仅为30 mW,次级电路两路输出分别有变压器的两路绕组经Q1,Q2两个MOSFET,实现同步整流,R16,R18,R19,R20,R21,C14,C15,C16组成电压反馈网络,稳压二极管VR2改进交叉稳压性能,可提供全面的输入电压及负载保护,并且具有出色的多路输出交叉调整率,开关管耐压高达900V,增加了更多的裕量,更高电压的MOSFET可以满足更高输入电压条件,使设计的电源输入电压适应范围更宽,更加适合要求严苛的工业控制及家电应用。