三相电机驱动电路MOS管DS电压问题请教

为啥不能发图呢

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死区时间上下两管的GS都没有驱动，DS呈高阻状态如果不接电机MOS管的IDSS参数一致MOS管的DS电压应该等于母线电压的一半，如果接了电机，电机的感应电压会在死区时影响上下两管DS的电压，因为MOS的DS可以认为处于高阻状态，也就是说你给它多少电压它就是多少电压，但是电流还是很小除非负压超过体内二极管的VF。

通道1是上管Vds（差分探头），通道2是上管Vgs（差分探头），通道3是下管Vgs(小探头)

谢谢

通道1是上管Vds（差分探头）
通道2是上管Vgs（差分探头）
通道3是下管Vgs(小探头)
通道4是下管Vds（小探头）
都是测的B相，测下管的时候，小探头的夹子都是夹在电阻的上端，也就是管子的S上

谢谢您的回复，您的意思是B相线圈的感应电动势导致的吗？

现在的电源网真的冷清了非常多了，党羽之争害人不浅啊

首先要感谢您对论坛的认可，现在人气确实不及之前，这个我很惭愧，不过我们不会停止努力，希望论坛能越来越好。

其次呢，没明白您第二句话的意思，论坛汇集的是志同道合者或者从事同行业的工程师们，大家一起来交流 分享，对于技术  有对有错有歧义很正常，至于“害人不浅”，我觉得论坛目前应该还没这个能力，多谢抬爱 。

不知问题解决了吗？

上下管的Vgs，相位有点问题吧

为了避免共通，这2个驱动，同时为高的时间差，应大于100nS

深有同感，特别是某工的鹰爪众多，一有真话的人就被攻击

我们有智能集成功率模块IPM，可以解决你的问题

这类项目，主要关注上下管的Vgs，需要使用差分探头，只要死区时间合理，且没有共通现象，

那么就是可靠且完美的设计。

至于上下管的Vds，只要峰峰值不大于管子BVdss的90%，即为合理，不用特别关注Vds吧