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用INN3266设计的高效5V/5A的充电器

      InnoSwitch3-CP在单个表面贴装的离线反激式开关IC中集成了初级侧、次级侧和反馈电路。该IC还集成了主MOSFET、初级侧控制器、用于同步整流的次级侧控制器,并采用了创新的Fluxlink技术,无需在次级感应反馈系统中使用光耦合器。

恒功率特性曲线图:

 电源采用INN3266设计的5V/6A的适配器,输入电压范围为85-265Vac,平均效率要超过90%,实现具有快速动态负载响应的高效率快充电源。通过变压器设计以及选择合适的有源器件和偏置电压来优化效率。该设计可在低压输入下提供高功率因数(0.9)。电路具有高效率、高功率因数和低元件数,适用于墙壁插座USB充电器。如果要做功率密度大的电压,可以选择氮化镓开关替换了IC初级的常规高压硅晶体管的电源型号,这可以降低电流流动期间的传导损耗,并极大降低工作时的开关损耗。

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2022-09-12 20:37

PI的Innoswitch系列的芯片适合大功率的快充电源设计,电源的体积小而且薄。

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2022-09-12 20:38

电源设计采用初级侧反馈方式,实现电源的控制,电路简单,效率也比较高。

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svs101
LV.8
4
2022-09-12 21:51

芯片集成的同步整流控制电路,大大提升了效率。支持更大功率的产品设计。

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svs101
LV.8
5
2022-09-12 21:52

同时PI的芯片封装设计独特,利于产品的散热,同时输出电流过流能力大

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tanb006
LV.10
6
2022-09-13 22:56
@奋斗的青春
电源设计采用初级侧反馈方式,实现电源的控制,电路简单,效率也比较高。

电路一点都不简单,

需要独立的辅助电源,次级零件也不少。

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yujunice
LV.5
7
2022-09-15 15:59

电路具有高效率、高功率因数和低元件数,适用于墙壁插座USB充电器。

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2022-09-15 22:35
@svs101
同时PI的芯片封装设计独特,利于产品的散热,同时输出电流过流能力大

InnoSwitch3采用数字反馈的Fluxlink技术,Fluxlink技术即使在瞬态应力测试下也能保持输出电压稳压

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trllgh
LV.9
9
2022-09-15 22:39

所提供的器件均支持锁存与自动重启动的常用组合,这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。

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飞翔2004
LV.10
10
2022-09-15 22:51
@大海的儿子
InnoSwitch3采用数字反馈的Fluxlink技术,Fluxlink技术即使在瞬态应力测试下也能保持输出电压稳压

具有很好的动态响应特性,电源的负载即使从空载至满载之间进行阶跃跳变,在输出端也比较稳定。

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dbg_ux
LV.9
11
2022-09-15 22:57

对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

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ehi763
LV.6
12
2022-09-16 21:47

为了提高效率,还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

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spowergg
LV.10
13
2022-09-16 22:03
@飞翔2004
具有很好的动态响应特性,电源的负载即使从空载至满载之间进行阶跃跳变,在输出端也比较稳定。

可在无需专用隔离变压器检测绕组和光耦的情况下,实现±3%的高精度输入电压和负载综合调整率。

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trllgh
LV.9
14
2022-09-16 22:15
@dbg_ux
对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低,可以有效降低开关损耗。

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dbg_ux
LV.9
15
2022-09-17 22:28
@ehi763
为了提高效率,还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。

在InnoSwitch3-CP系列控制器中,INN3266C可提供最低的RDS(on),低的导通电阻可以提高效率。

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2022-09-17 22:39
@trllgh
所提供的器件均支持锁存与自动重启动的常用组合,这是快充和USBPD设计等应用所要求的特性。

同时也有提供的器件提供输出线压降补偿选项,可以满足充电补偿的要求。

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spowergg
LV.10
17
2022-09-18 11:01
@spowergg
可在无需专用隔离变压器检测绕组和光耦的情况下,实现±3%的高精度输入电压和负载综合调整率。

比如一些高温环境,随着电源使用寿命的增加,如果采用光耦的反馈也会相应的受到影响。

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飞翔2004
LV.10
18
2022-09-18 12:52
@trllgh
较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低,可以有效降低开关损耗。

可提供供电电压及电流的准确化微调,并且可以实现高达94%的高效性能指标。

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k6666
LV.9
19
2022-09-19 20:27
@大海的儿子
InnoSwitch3采用数字反馈的Fluxlink技术,Fluxlink技术即使在瞬态应力测试下也能保持输出电压稳压

innoswitch系列芯片支持的功率更大,效率更高,待机功耗及空载功耗都很低。

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dy-TMelSvc9
LV.8
20
2022-09-20 23:35

为什么选取这颗器件作为开关电源使用

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dy-n66BzSV7
LV.6
21
2022-09-20 23:44

整流对电压输出曲线会有哪些影响

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dy-nmLUWFNr
LV.8
22
2022-09-21 23:56

这个高效电源设计很实用

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CDJ01
LV.5
23
2022-09-22 18:58

创新的Fluxlink技术,无需在次级感应反馈系统中使用光耦合器。

这里说的Fluxlink技术就是省掉光耦吗?原副边绝缘耐压可以做到多少

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dy-n66BzSV7
LV.6
24
2022-09-22 23:41

这个转换效率会发生转折么

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听听1234
LV.4
25
2022-09-25 17:43

电源采用INN3266设计的5V/6A的适配器,输入电压范围为85-265Vac,平均效率要超过90%,实现具有快速动态负载响应的高效率快充电源。

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天晴朗
LV.6
26
2022-10-26 17:35

通过变压器设计以及选择合适的有源器件和偏置电压来优化效率

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ehi763
LV.6
27
2022-12-17 21:10
@dbg_ux
对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

设计变压器时应该考虑比如集肤效应和骨架范围,建议 使用采用多股并联绕线技术来绕制的小线径的绕线。

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ehi763
LV.6
28
2022-12-17 21:18
@dbg_ux
对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

InnoSwitch-CP的IC中使用的状态调节器可自动调节限流点,从而调节轻载下的工作频率。

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xxbw6868
LV.9
29
2023-01-15 20:51
@dbg_ux
对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

由于此耦合电感并非理想器件,所以存在漏感,而实际线路中也会存在杂散电感。

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2023-02-17 21:11
@dbg_ux
对于变压器设计,最好将反射电压保持在较低水平,以降低次级侧的RMS电流。

 较低的 RMS 电流允许使用更小、更快的 MOSFET 和二极管.,优点比较多。

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飞翔2004
LV.10
31
2023-02-17 21:30
@大海的儿子
 较低的RMS电流允许使用更小、更快的MOSFET和二极管.,优点比较多。

输入电流纹波抵消的好处是可以利用物理上更小的 EMI 滤波器。

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