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为什么要用推挽电路驱动IGBT呢?

我不明白在电磁炉中对IGBT的驱动都是用推挽电路,用射极跟随器来驱动不行吗?500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/72/2885111229260728.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上图为推挽电路
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/72/2885111229260746.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上图为射极跟随器,为何不用这种呢?
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idcl
LV.3
2
2008-12-14 21:37
IGBT驱动波形的开(上升沿时间)与关(下降沿时间)越短,开关时的损耗也就越小,第二幅图关断时不能快速的抽走IGBT结电容上的电容,IGBT无法可靠的关断,会炸管!
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春夏秋冬
LV.2
3
2009-01-06 00:54
@idcl
IGBT驱动波形的开(上升沿时间)与关(下降沿时间)越短,开关时的损耗也就越小,第二幅图关断时不能快速的抽走IGBT结电容上的电容,IGBT无法可靠的关断,会炸管!
顶,说的非常对.
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米山人家
LV.8
4
2009-01-06 12:55
@春夏秋冬
顶,说的非常对.
IGBT的关断时间越快越好

不管用什么驱动结构,主要目的还是为了保证IGBT的快速关断

用射极跟随器的话,关断时间最少也要几us

而用推挽,很轻易就能将关断时间控制在0.5us以下,不过从实际测试来看,下降沿在0.2us至2us不同时,发热量增加并不大

原本以为下降沿(IGBT关断时间)大于1us后会严重发热的

但是关断时间再大的话,肯定是不行的,比如关断时间大于3us以上,基本上很快就会炸管的,关断损耗会很大


不过也不一定非要用推挽结构,其它结构也行,只要能保证合适的IGBT开通及关断时间,推挽结构的优点是简单,但它的待机电流稍大,并且推动能力有限(有些大的IGBT模块就不能用了),有些场合并不适用
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米山人家
LV.8
5
2009-01-06 12:55
@春夏秋冬
顶,说的非常对.
IGBT的关断时间越快越好

不管用什么驱动结构,主要目的还是为了保证IGBT的快速关断

用射极跟随器的话,关断时间最少也要几us

而用推挽,很轻易就能将关断时间控制在0.5us以下,不过从实际测试来看,下降沿在0.2us至2us不同时,发热量增加并不大

原本以为下降沿(IGBT关断时间)大于1us后会严重发热的

但是关断时间再大的话,肯定是不行的,比如关断时间大于3us以上,基本上很快就会炸管的,关断损耗会很大


不过也不一定非要用推挽结构,其它结构也行,只要能保证合适的IGBT开通及关断时间,推挽结构的优点是简单,但它的待机电流稍大,并且推动能力有限(有些大的IGBT模块就不能用了),有些场合并不适用
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honda2323
LV.3
6
2009-01-14 21:22
@米山人家
IGBT的关断时间越快越好不管用什么驱动结构,主要目的还是为了保证IGBT的快速关断用射极跟随器的话,关断时间最少也要几us而用推挽,很轻易就能将关断时间控制在0.5us以下,不过从实际测试来看,下降沿在0.2us至2us不同时,发热量增加并不大原本以为下降沿(IGBT关断时间)大于1us后会严重发热的但是关断时间再大的话,肯定是不行的,比如关断时间大于3us以上,基本上很快就会炸管的,关断损耗会很大不过也不一定非要用推挽结构,其它结构也行,只要能保证合适的IGBT开通及关断时间,推挽结构的优点是简单,但它的待机电流稍大,并且推动能力有限(有些大的IGBT模块就不能用了),有些场合并不适用
说得对
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攀枝花业余维修
LV.1
7
2010-09-20 19:12
@idcl
IGBT驱动波形的开(上升沿时间)与关(下降沿时间)越短,开关时的损耗也就越小,第二幅图关断时不能快速的抽走IGBT结电容上的电容,IGBT无法可靠的关断,会炸管!
我有一老电磁炉 用两组三极管串连再与串连的两个电容并联  两组三极管的中点 与串连的两个电容的中点用盘形电感  也就是发热盘以及电流互感器（二次推挽控制三极管的导通和关断）相连  。三极管坏了  我用igbt代替  重绕了互感器 将电压提高到18v左右  能够加热   但是两分钟  就炸管了   请问 是因为开通和关断的时间太长   增加了损耗   还是因为关断电压太高  谢谢
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firefox886
LV.9
8
2010-09-20 19:31
@攀枝花业余维修
我有一老电磁炉用两组三极管串连再与串连的两个电容并联 两组三极管的中点与串连的两个电容的中点用盘形电感 也就是发热盘以及电流互感器（二次推挽控制三极管的导通和关断）相连 。三极管坏了 我用igbt代替 重绕了互感器将电压提高到18v左右 能够加热  但是两分钟 就炸管了  请问是因为开通和关断的时间太长  增加了损耗  还是因为关断电压太高  谢谢
你说了这么多，怎么不发个图上来啊？要是图文并茂，那样别人更能帮到你！
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firefox886
LV.9
9
2010-09-20 19:32
你的第一个图实际上也是一个射极跟随器！
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my.mai
LV.9
10
2010-09-21 14:08

NPN管作开关驱动信号放大,直接推IGBT.

PNP管作关断残余电压泄放,让IGBT能快速关断.

单片机输出高电平,NPN管导通.单片机输出低电平,NPN管关断,PNP管帮助IGBT缩短关断时间.

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my.mai
LV.9
11
2010-09-21 14:12
@firefox886
你说了这么多，怎么不发个图上来啊？要是图文并茂，那样别人更能帮到你！
是阿,贴个原理图出来,版主帮你解决,我也跟着学习一下.
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rtg_17
LV.3
12
2010-09-21 16:58
@my.mai
NPN管作开关驱动信号放大,直接推IGBT.PNP管作关断残余电压泄放,让IGBT能快速关断.单片机输出高电平,NPN管导通.单片机输出低电平,NPN管关断,PNP管帮助IGBT缩短关断时间.

正解，IGBT关断时间的确定，还是要跟据IGBT的吸收电路来确定吧，在IGBT模块的PDF中，有一项很关键的参数：di/dt   虽然说关断快能解决拖泥尾电流的问题，各位大佬，为啥在计算机超频的时候，有的同学对CPU进行超频（提高开关管的开关速度吧）而导至CPU永久损坏，CPU内部开关管电子迁移，造成永久损坏呀。

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my.mai
LV.9
13
2010-09-21 17:46
@rtg_17
正解，IGBT关断时间的确定，还是要跟据IGBT的吸收电路来确定吧，在IGBT模块的PDF中，有一项很关键的参数：di/dt  虽然说关断快能解决拖泥尾电流的问题，各位大佬，为啥在计算机超频的时候，有的同学对CPU进行超频（提高开关管的开关速度吧）而导至CPU永久损坏，CPU内部开关管电子迁移，造成永久损坏呀。

家用计算机组装机的CPU超频,要注意以下几点:

1:电脑主板的稳定性.

2:电脑电源的稳定性.

3:CPU的散热是否足够.

CPU超频,无非就是把CPU保留的一点潜力发挥出来,总体还是需要用缩短CPU的寿命来作为补偿的.

不过现在的数码产品,能用个3-5年就足够了.因为早就换代更新了,寿命再长都没用.

曾经的毒龙1.0,巴顿2500,回想当初,泪流满面.

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rtg_17
LV.3
14
2010-09-24 11:56
@my.mai
家用计算机组装机的CPU超频,要注意以下几点:1:电脑主板的稳定性.2:电脑电源的稳定性.3:CPU的散热是否足够.CPU超频,无非就是把CPU保留的一点潜力发挥出来,总体还是需要用缩短CPU的寿命来作为补偿的.不过现在的数码产品,能用个3-5年就足够了.因为早就换代更新了,寿命再长都没用.曾经的毒龙1.0,巴顿2500,回想当初,泪流满面.

呵呵，IT行业的发展好像是越来越不对轨了，大家都在倡导节能、环保，但是现在的计算机硬件呢？CPU从单核到双核到八核（对于专用领域的话大家应该都可以接受）这种东东都出来了，功率呢，有降吗？温度有降吗？高温这个杀手可是无处不在的。虽然说计算机速度快是好事，大家都企盼，但是WINDOWS系统虽然是越来越人性化，越来越全面但是它的附带功能又有多少人真正的全部用过，系统不是今天发布几个补丁，就是明天发布几个补丁。一步一步踏踏实实干会有这种问题吗？产品还是稳定性占第一吧？做得再大也要有心思照看才行呀，一旦服务跟不上后果可想而知，一个大企业更像是一个巨人……

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irex
LV.5
15
2010-09-24 21:00
@米山人家
IGBT的关断时间越快越好不管用什么驱动结构,主要目的还是为了保证IGBT的快速关断用射极跟随器的话,关断时间最少也要几us而用推挽,很轻易就能将关断时间控制在0.5us以下,不过从实际测试来看,下降沿在0.2us至2us不同时,发热量增加并不大原本以为下降沿(IGBT关断时间)大于1us后会严重发热的但是关断时间再大的话,肯定是不行的,比如关断时间大于3us以上,基本上很快就会炸管的,关断损耗会很大不过也不一定非要用推挽结构,其它结构也行,只要能保证合适的IGBT开通及关断时间,推挽结构的优点是简单,但它的待机电流稍大,并且推动能力有限(有些大的IGBT模块就不能用了),有些场合并不适用

我見解不一樣

如果做沒變壓器輸出的 感應機

IGBT G 上升不要太徒,反而要有點斜率

但是 關斷 則必須要快速

最大原因 就是 因為沒變壓器輸出的 是直接對应材質變化

未避免 不規則物 磁反射 導致 沖壓過高

開啟 IGBT G 緩點 比較好

對 MCU直接控制數位感應 架構來說

有點斜率的 開啟 也給 MCU A/D 轉換器 有緩衝時間

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攀枝花业余维修
LV.1
16
2010-09-26 10:27
@firefox886
你说了这么多，怎么不发个图上来啊？要是图文并茂，那样别人更能帮到你！

 

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igbtsy
LV.9
17
2010-09-26 11:04
@攀枝花业余维修
[图片] 

这位兄弟提供的电路给人一个新的思路：1.电路简单，2.在固定负载不需调功的场合可以采用。但作为实用，对电路还要作修改和完善。

烧管的原因试分析如下，不一定正确，仅供参考。

1.原先用互感器的二组次级绕组驱动三极管，三极管是电流型器件，要有电流驱动，驱动电流与三极管的输入阻抗形成了驱动电压，现改成IGBT，那是电压型器件，输入阻抗高，驱动电压就很高了，功率加大后，很高的驱动电压可以击穿IGBT的门极。

2.IGBT门极输入电容要求驱动有足够的电流驱动，而加有限流电阻的三极管没有这种要求，换成IGBT后导致IGBT的驱动上升沿不陡，管子经过放大区时间过长，则要烧管了。

 

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my.mai
LV.9
18
2010-09-26 13:11
@攀枝花业余维修
[图片] 

IGBT的G极不需要光耦或者变压器驱动,直接由互感器取样作反馈驱动?这机子能工作吗?

开机后的首个脉冲,由哪里提供?

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firefox886
LV.9
19
2010-09-26 19:38
@igbtsy
这位兄弟提供的电路给人一个新的思路：1.电路简单，2.在固定负载不需调功的场合可以采用。但作为实用，对电路还要作修改和完善。烧管的原因试分析如下，不一定正确，仅供参考。1.原先用互感器的二组次级绕组驱动三极管，三极管是电流型器件，要有电流驱动，驱动电流与三极管的输入阻抗形成了驱动电压，现改成IGBT，那是电压型器件，输入阻抗高，驱动电压就很高了，功率加大后，很高的驱动电压可以击穿IGBT的门极。2.IGBT门极输入电容要求驱动有足够的电流驱动，而加有限流电阻的三极管没有这种要求，换成IGBT后导致IGBT的驱动上升沿不陡，管子经过放大区时间过长，则要烧管了。 
沈工说的正确！
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攀枝花业余维修
LV.1
20
2010-09-28 01:26
@igbtsy
这位兄弟提供的电路给人一个新的思路：1.电路简单，2.在固定负载不需调功的场合可以采用。但作为实用，对电路还要作修改和完善。烧管的原因试分析如下，不一定正确，仅供参考。1.原先用互感器的二组次级绕组驱动三极管，三极管是电流型器件，要有电流驱动，驱动电流与三极管的输入阻抗形成了驱动电压，现改成IGBT，那是电压型器件，输入阻抗高，驱动电压就很高了，功率加大后，很高的驱动电压可以击穿IGBT的门极。2.IGBT门极输入电容要求驱动有足够的电流驱动，而加有限流电阻的三极管没有这种要求，换成IGBT后导致IGBT的驱动上升沿不陡，管子经过放大区时间过长，则要烧管了。 
igbt为压控元件 我以为它需要的电流很小  控制电压的最大值由线圈匝数决定，三极管是电流控制型  需要足够的控制电流   所以我升高了它的控制电压   但是限流电阻没有变   所以我想应该加大限流电阻  其二由于电感的作用  控制波形近似正玄波  经过放大区的时间比较长   其三由于直接用互感器二次驱动关断电压和开通电压一样大，关断电压过高也是一个原因    不知各位是否赞同  是否还有不同见解   还有我该如何改进   请多提宝贵意见
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攀枝花业余维修
LV.1
21
2010-09-28 01:33
@my.mai
IGBT的G极不需要光耦或者变压器驱动,直接由互感器取样作反馈驱动?这机子能工作吗?开机后的首个脉冲,由哪里提供?
光耦当然好   脉冲变压器驱动是否会限制频率    关于启动脉冲  原来的三极管是有启动电路的  我没有画出来
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攀枝花业余维修
LV.1
22
2010-09-28 01:37
@攀枝花业余维修
igbt为压控元件我以为它需要的电流很小 控制电压的最大值由线圈匝数决定，三极管是电流控制型 需要足够的控制电流  所以我升高了它的控制电压  但是限流电阻没有变  所以我想应该加大限流电阻 其二由于电感的作用 控制波形近似正玄波 经过放大区的时间比较长  其三由于直接用互感器二次驱动关断电压和开通电压一样大，关断电压过高也是一个原因   不知各位是否赞同 是否还有不同见解  还有我该如何改进  请多提宝贵意见

你们所说的半桥电路是怎样的，和我这个不一样吗   能否贴张图   谢谢

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igbtsy
LV.9
23
2010-09-28 08:20
@攀枝花业余维修
光耦当然好  脉冲变压器驱动是否会限制频率   关于启动脉冲 原来的三极管是有启动电路的 我没有画出来

是否可以把原先的三极管起动电路传上来，也让我们学习一下。若有可取之处则拿来用之，不合理的话则不用，自行设计。

针对IGBT的驱动要解决三个问题。1. 驱动开始要有自举或正反馈电路，保证IGBT有足够的门极结电容充电电流。2. 过后不管主回路电流大小变化要维持门极电压稳定不变。3.关断时要有有限的限幅反抽电压。这三点做到了该电路就有实用价值了。

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my.mai
LV.9
24
2010-09-29 11:25
@攀枝花业余维修
光耦当然好  脉冲变压器驱动是否会限制频率   关于启动脉冲 原来的三极管是有启动电路的 我没有画出来
原来还有起动电路,那就OK了.
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攀枝花业余维修
LV.1
25
2010-10-07 21:49
@igbtsy
是否可以把原先的三极管起动电路传上来，也让我们学习一下。若有可取之处则拿来用之，不合理的话则不用，自行设计。针对IGBT的驱动要解决三个问题。1.驱动开始要有自举或正反馈电路，保证IGBT有足够的门极结电容充电电流。2.过后不管主回路电流大小变化要维持门极电压稳定不变。3.关断时要有有限的限幅反抽电压。这三点做到了该电路就有实用价值了。
 
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