将外部晶体管(如MOSFET)与BUCK稳压器的高边开关串联起来的实现方法。叠加MOSFET可以将PILinkSwitch-TNZ集成BUCK控制器的工作电压范围扩大到器件的典型工作输入范围之外
Buck稳压器因其简单、元件数量少、效率高、散热少和整体可靠性高而在许多不需要电隔离的应用中很受欢迎。最近，它们在汽车工业中引起了特别的兴趣。然而，对于汽车应用，降压稳压器可能需要与输入电压大于800伏直流操作。
高压直流输入解决方案使具有高达1000V直流高输入电压要求的汽车应用能够使用此类较低电压范围的降压稳压器，并经过修改以符合其紧急高压总线网络。这种高压降压稳压器解决方案有可能取代一些客户可能使用的高损耗线性稳压器。
LinkSwitch-TN2控制器具有跨D和S终端的集成内部MOSFET.一个额外的堆叠MOSFET与LinkSwitch-TN2控制器的集成MOSFET串联。BUCK申购器的输入电压范围由原来的LNK3206GQ的60-550V直流扩展而来。在LinkSwitch-TN2不需要一个光精合器在偏侧的巴克调节器这种改进的配置为具有较低电压集成开关选项的LinkSwitch-TN2的运行提供了可的解决方案。堆叠晶体管的一般概念是，来自控制器的单个低电压门控信号触发集成电路器件中的集成MOSFET，并且在寄生和电路中的外部插入电容用于打开单个或多个外部串联品体管 (例如堆叠的MOSFET)。然后，集成电路器件两端的电压可以被辩位到最大额定电压以下。在图1中，高端降压配置使用LinkSwitch-TN2，LNK3206G与一个额外的堆叠MOSFET电路。连接在晶体管Q1的册极和LNK-TN2IC器件U1的源极之间的瞬态电压抑制器VR1、VR2和VR3的网络将U1两端的电压箱位到低于U1的额定值。然后电压应力将在U1和01之间共享。C5是可选的电容，如果瞬态电压抑制器VR1、VR2和VR3的电容不足，该电容可以导通Q1。
