半桥驱动IC功率不能做大,一般只适用于几十W的功率,几百W后难度就大大增加。
原因是,大功率时,上下管IGBT会有一段电流逆导区间,大概几us,功率大到一定程度后,逆导电流产生的负向电流会很高,因此产生的负向电压会高达几伏甚至几十伏。仿真显示,每KW功率对应逆导电流约10A(空载时逆导电流最高,满载时较低),
而半桥驱动有个致命的缺点,就是驱动端对地的负电压限制不能超过-5V,不然会击穿,而在半桥中,大功率时瞬变电压超过十几伏都很平常。
解决这个问题需要加隔离,但是增加隔离后,还不如直接用光耦更简单高效