在某些750伏DC的应用当中，氮化镓已经可以取代碳化硅了，氮化镓可以使用硅基工艺，同时晶圆尺寸更大，但是氮化镓在功率密度上遥遥领先于硅，因此越来越多要求高功率密度的场景开始接受氮化镓。在30W以上应用中，就足以体现出氮化镓的优势。
硅的禁带宽度为1.12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3eV及以上半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料是被称为第三代半导体材料。氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)及其合金组成的Ill族氮化物(又称GaN基)半导体是最重要的一类宽禁带半导体。电子器件领域：高温、高频、高功率微波器件是无线通信、国防等领域急需的电子器件。
PI PowiGaN的优势如下：
1.优势是高度整合，在单芯片中集成了包括开关、保护、反馈、同步整流以及磁隔离等全部组件，用户只需要设计外围电路即可，这降低了产品的开发门槛，减少了产品尺寸，同时也提高了可靠性。
2.PowiGaN的独特架构，采用了Cascode（共源共栅）架构，通过MOSFET与氮化镓并联的方式，实现了器件的常关。
推出900V 的PowiGaN器件，为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。700V氮化镓器件不仅能够增加裕量和耐用性，与硅器件相比也有更好的效率和功率。
InnoSwitch3架构下的900V器件性能也非常强劲，pi氮化镓芯片涵盖了InnOswitch系列的几乎所有产品，包括大厂定制产品SC标识产品，LYTSwitch-6系列的LED驱动电源也采用了GaNj技术，发挥了宽禁带半导体材料的优势。
