大功率mosfet驱动,miller平台区处理方法,请高手赐教!

1500W电源的mosfet驱动遇到这样一个问题:
驱动电压vgs在MOSFET开启时有一个突然下垂的现象,从波形上观察应该是在miller 区. 一般的资料上说miller区,vgs是一个平坦区域.
我首先怀疑是驱动能力不够.加大驱动能力也不能解决.
波形图见附件 ,CH1 是 vgs ,CH2是 VDS

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gyfy

LV.1

2009-08-10 12:01

这是MOSFET G极电压到达阀值电压后,MOSFET开通,结电容瞬间快速放电形成,

化雪

LV.4

2009-08-11 19:40

1、这个波形是对的,就是miller电容的影响.当开关管关断时,Vg电位是0V,Vd是400V左右,那么Cds在开关管关断时就有400V的的电压,当开关管导通时,这个电位掉到了-15VDC,Cds上电位的变化是由驱动提供的,在开关管导通一瞬间,由于这个电容吸收很大电流的原因,驱动肯定会下掉.
2、你选的管子可能Qg大了一点,一般管子Ron和Qg是一对矛盾,一个小另一个就大,你选Qg小一点,Ron大点,说不定效率会高.

still_ater

LV.1

2009-08-11 22:31

@化雪

1、这个波形是对的,就是miller电容的影响.当开关管关断时,Vg电位是0V,Vd是400V左右,那么Cds在开关管关断时就有400V的的电压,当开关管导通时,这个电位掉到了-15VDC,Cds上电位的变化是由驱动提供的,在开关管导通一瞬间,由于这个电容吸收很大电流的原因,驱动肯定会下掉. 2、你选的管子可能Qg大了一点,一般管子Ron和Qg是一对矛盾,一个小另一个就大,你选Qg小一点,Ron大点,说不定效率会高.

谢谢! 二、三楼的朋友.其实这个电源生产了200台,没有其他异常,电源效率90%左右.从MOSFET的开关波形看来,开关损耗还有降低的余地.
mosfet我也曾用过两种测试过:ixys的ixtq22n50p 和ixfh44n50p ,开关波形没有太的改变,相反因为IXFH44N50P因为RDS只有140mΩ,效率相比IXTQ22N50P要高0.5个百分点.
也尝试增加驱动能力,波形也没有改善.我在怀疑我驱动电路的供电电源不能提供瞬时的功率.我计算了一下,再米勒区,驱动电路大概要提供瞬时3A的驱动电流.

化雪

LV.4

2009-08-12 17:35

@still_ater

谢谢!二、三楼的朋友.其实这个电源生产了200台,没有其他异常,电源效率90%左右.从MOSFET的开关波形看来,开关损耗还有降低的余地. mosfet我也曾用过两种测试过:ixys的ixtq22n50p和ixfh44n50p,开关波形没有太的改变,相反因为IXFH44N50P因为RDS只有140mΩ,效率相比IXTQ22N50P要高0.5个百分点. 也尝试增加驱动能力,波形也没有改善.我在怀疑我驱动电路的供电电源不能提供瞬时的功率.我计算了一下,再米勒区,驱动电路大概要提供瞬时3A的驱动电流.

你量一下开关管和驱动回路的元件器,没有元件超过温度降额就行了,有0.9的效率,也就很好了.

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