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关于前沿消隐

现在的IC一般都带有前沿消隐功能，想请教大家，这一前沿消隐时间是在每个周期都有，还是仅仅在MOS管首次导通后

谢谢

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liuhou
LV.9
2
2010-11-02 13:38
肯定是在每个周期都有啊，防止IC误动作的。
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liuhou
LV.9
3
2010-11-02 13:41
@liuhou
肯定是在每个周期都有啊，防止IC误动作的。

给个前沿消隐 构图给你。

 

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st.you
LV.10
4
2010-11-02 14:41

前沿消隐，顾名思义，就是在脉冲的前一段消隐掉，或者说是滤除掉。

从电路原理上理解会深刻些。

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hk2007
LV.8
5
2010-11-02 15:53
@st.you
前沿消隐，顾名思义，就是在脉冲的前一段消隐掉，或者说是滤除掉。从电路原理上理解会深刻些。

其时间的长短有何影响呢？

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yhl200303041s
LV.2
6
2010-11-02 16:01
@st.you
前沿消隐，顾名思义，就是在脉冲的前一段消隐掉，或者说是滤除掉。从电路原理上理解会深刻些。
前沿消隐是否就是相当于一个比较器啊，只有脉冲幅度达到一定的值的时候才给出驱动信号，其余小干扰信号一并忽略。第一次听说这个概念，不知道这样理解对不对？
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st.you
LV.10
7
2010-11-02 16:44
@hk2007
其时间的长短有何影响呢？

从两个极端看，消隐时间长了，把正常的信号都消隐掉，这样在空载的时候驱动IC输出的最小占空比就会变大，从而不稳定。短了，等于没有，那么IC也会不稳定，易受干扰，尤其是变压器的分布电容和次级输出二极管的反向恢复时间的影响最大。

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st.you
LV.10
8
2010-11-02 16:45
@yhl200303041s
前沿消隐是否就是相当于一个比较器啊，只有脉冲幅度达到一定的值的时候才给出驱动信号，其余小干扰信号一并忽略。第一次听说这个概念，不知道这样理解对不对？[图片]
可以看作开始的一小段时间不管事。跟信号大小没关系。
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hk2007
LV.8
9
2010-11-02 16:47
@st.you
从两个极端看，消隐时间长了，把正常的信号都消隐掉，这样在空载的时候驱动IC输出的最小占空比就会变大，从而不稳定。短了，等于没有，那么IC也会不稳定，易受干扰，尤其是变压器的分布电容和次级输出二极管的反向恢复时间的影响最大。

恩，谢了。

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yhl200303041s
LV.2
10
2010-11-02 17:10
@st.you
可以看作开始的一小段时间不管事。跟信号大小没关系。
恩，多谢指教，消隐时间是根据什么确定的呢？是变动的吗？
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孤灯下
LV.7
11
2010-11-02 17:22

据说说白了，就是里面有RC电路，C把尖刺能量吸收了！

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uestc2004
LV.2
12
2010-11-02 17:36
@liuhou
给个前沿消隐构图给你。[图片] 
谢谢啦     如果要测这个时间怎么测啊      
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mgt123
LV.3
13
2010-11-02 17:56
@yhl200303041s
恩，多谢指教，消隐时间是根据什么确定的呢？是变动的吗？
固定的，一般芯片的datasheet里都有讲解的啊。自己看更明白些。或者你看芯片资料里的内部框图。更直观。
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爱的罗曼斯
LV.7
14
2010-11-28 20:41
@孤灯下
据说说白了，就是里面有RC电路，C把尖刺能量吸收了！
前沿消隐电路就是检测MOS 源极对地电阻上电压的波形?
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加伊
LV.4
15
2011-03-02 16:40
@孤灯下
据说说白了，就是里面有RC电路，C把尖刺能量吸收了！
恩？理论上这样子可以吸收尖刺。但是在芯片里面能够集成我们所需的电容吗？
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z5071507
LV.2
16
2013-01-18 13:48
@加伊
恩？理论上这样子可以吸收尖刺。但是在芯片里面能够集成我们所需的电容吗？
这个必须能
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z5071507
LV.2
17
2013-01-18 13:48
@z5071507
这个必须能
原来我还是工兵呢啊
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sometimes
18
2013-01-18 16:58
@加伊
恩？理论上这样子可以吸收尖刺。但是在芯片里面能够集成我们所需的电容吗？

IC里面的作法是一般不用RC滤波器，采用屏蔽的方式，比如此段时间，用内置小MOS拉低。

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流水禅心
LV.7
19
2018-06-29 17:25
@sometimes
IC里面的作法是一般不用RC滤波器，采用屏蔽的方式，比如此段时间，用内置小MOS拉低。
是的，我们如果需要外部做才用RC的方式。
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gouping
LV.5
20
2018-07-19 08:45
@流水禅心
是的，我们如果需要外部做才用RC的方式。
谢谢分享
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