【讨论】开关电源主输出RC吸收电路对开关管VDS波形状况

第一种对后级整流管的尖峰抑制优于第二种.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.

有点像"跷跷板"

看楼主的测试报告，第二种吸收的效果明显好于第一种。

hlp330团长 这个要权衡了,前面低了 后面就高了啊

我没用过第二种,耐压够了应该可以吧.希望高手给你解答.

两组输出,就现在这组为主输出

后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.

对铅酸电池也许会有好处!

那就应该没有什么问题我后级用400V耐压的二极管

主要是对效率以及EMI的影响了。

充电器这玩意,效率要求不高,EMI也没有特别明显的要求,现在只求稳定!!!

我前期炸开关管,有点怕这玩意了

我来说几句吧

这是个老生常谈的问题了，RC吸收VS 单个C吸收。

RC吸收是个阻尼吸收，怎么设定RC的参数，论坛里面做过很多的讨论，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出现欠阻尼与过阻尼的情况，因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。

C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件，利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS的影响大小，你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比，就明白怎么回事了

楼主就测试一下这两种吸收时，整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比

把图贴上来看看啊。

我们还是很关注VDS的，这么看好像只要电容效果还好些？

大家唱说的都是用RC

单单从功耗上看，加了R，消耗能量是不是效率也低了

单从理论上来说，这个电阻起阻尼的作用，是需要消耗能量的

但从整个电源系统上来说，却是不一定降低效率，因为它抑制了振荡，其他的元件的损耗小了，所以大多数的情况下都加RC吸收

我周一去测试下!然后把图贴上来，有点兴趣！

问题在于整个系统的稳定。VDS参数，整个系统的稳定。也不能单纯的追求一个参数。

好的 等你的参数

我用的是第二种，用第二种时MOS管的VDS降到540V左右，用第一种，VDS降不下来，且电阻很烫。