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关于反激电源的效率,温升

请问各位老师,我手头在做一个50W的反激,输入100VDC,效率80%+,20度下测试,MOS温度90多度,DIODE温度80多度,是不是温度太高,标准如何规定?

谢谢!

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zvszcs
LV.12
2
2011-03-22 12:59

太高了,你过不了50度这关啊,我们一般温升不得超过35度

 

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dolameng
LV.4
3
2011-03-22 13:44
@zvszcs
太高了,你过不了50度这关啊,我们一般温升不得超过35度 

温升35度,那得是软开关吧,硬开关可能么?还是用大的散热片?

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dolameng
LV.4
4
2011-03-22 13:51
@zvszcs
太高了,你过不了50度这关啊,我们一般温升不得超过35度 

直接上图上不了,.RAR文件中是一些波形图,请指点。

波形图 

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bpyanyu
LV.8
5
2011-03-22 14:04

确实太高了,100VDC输入可以用低电压的MOS了,你要是能在这里选择个好管子应该MOS管的温度下来很多,看你效率也就还行的样子,还是想法加大散热器吧。

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liuhou
LV.9
6
2011-03-22 14:54

是有点高,高温下加个30度就过不了。

 

还有你试试看能不提高效率啊,你的80%偏低了。

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2011-03-22 15:05
你这个温度也实在太高了啊
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dolameng
LV.4
8
2011-03-22 16:53
@liuhou
是有点高,高温下加个30度就过不了。 还有你试试看能不提高效率啊,你的80%偏低了。
提升效率,从哪入手呢?变压器是外购的,我改不了。
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sangjuen
LV.8
9
2011-03-22 17:15
@dolameng
提升效率,从哪入手呢?变压器是外购的,我改不了。

开关电源技术,本质上是让变压器和MOS管(或三极管)工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。

拓扑一定下,其关键技术就是变压器的技术!

变压器设计不合理且不能改,永远做不出好电源!

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cheng111
LV.11
10
2011-03-22 22:46
@sangjuen
开关电源技术,本质上是让变压器和MOS管(或三极管)工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。拓扑一定下,其关键技术就是变压器的技术!变压器设计不合理且不能改,永远做不出好电源!

sangjuen大师说的很到位啊。多多指教。

变压器是一个重点,还要考虑你的功率管的温升。

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隐形专家
LV.10
11
2011-03-23 07:04
@sangjuen
开关电源技术,本质上是让变压器和MOS管(或三极管)工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。拓扑一定下,其关键技术就是变压器的技术!变压器设计不合理且不能改,永远做不出好电源!

正解

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dolameng
LV.4
12
2011-03-23 08:17
@sangjuen
开关电源技术,本质上是让变压器和MOS管(或三极管)工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。拓扑一定下,其关键技术就是变压器的技术!变压器设计不合理且不能改,永远做不出好电源!

现在也没有确认就是变压器的问题,变压器磁芯和线圈温升并不是高的离谱,50度左右,

如果不是变压器的问题,改善效率的办法通常有哪些?还请sangjuen老师指点。

4楼有驱动,电流,D极电压波形,请参考。

多谢!

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sangjuen
LV.8
13
2011-03-23 08:56
@dolameng
现在也没有确认就是变压器的问题,变压器磁芯和线圈温升并不是高的离谱,50度左右,如果不是变压器的问题,改善效率的办法通常有哪些?还请sangjuen老师指点。4楼有驱动,电流,D极电压波形,请参考。多谢!
驱动上升速度太慢且有干扰。解决振铃你试一下如下的方法:1、在驱动IC的Vcc端对地并474CBB,2、G极Rg并加速电容再串一2欧姆电阻。3、增加-5V负压驱动,使MOS可靠截止。
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glf680409
LV.8
14
2011-06-16 23:48

改用低内阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

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powerants
LV.6
15
2011-06-17 20:50
@zvszcs
太高了,你过不了50度这关啊,我们一般温升不得超过35度 
35度,散热器比较大吧
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leowang2002
LV.4
16
2011-06-17 21:06
@glf680409
改用低内阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

看看FET开关损耗有多大?

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