请问各位老师,我手头在做一个50W的反激,输入100VDC,效率80%+,20度下测试,MOS温度90多度,DIODE温度80多度,是不是温度太高,标准如何规定?
谢谢!
太高了,你过不了50度这关啊,我们一般温升不得超过35度
温升35度,那得是软开关吧,硬开关可能么?还是用大的散热片?
直接上图上不了,.RAR文件中是一些波形图,请指点。
波形图
确实太高了,100VDC输入可以用低电压的MOS了,你要是能在这里选择个好管子应该MOS管的温度下来很多,看你效率也就还行的样子,还是想法加大散热器吧。
是有点高,高温下加个30度就过不了。
还有你试试看能不提高效率啊,你的80%偏低了。
开关电源技术,本质上是让变压器和MOS管(或三极管)工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。
拓扑一定下,其关键技术就是变压器的技术!
变压器设计不合理且不能改,永远做不出好电源!
sangjuen大师说的很到位啊。多多指教。
变压器是一个重点,还要考虑你的功率管的温升。
正解
现在也没有确认就是变压器的问题,变压器磁芯和线圈温升并不是高的离谱,50度左右,
如果不是变压器的问题,改善效率的办法通常有哪些?还请sangjuen老师指点。
4楼有驱动,电流,D极电压波形,请参考。
多谢!
改用低内阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。
看看FET开关损耗有多大?