关于反激电源的效率，温升

请问各位老师，我手头在做一个50W的反激，输入100VDC，效率80%+，20度下测试，MOS温度90多度，DIODE温度80多度，是不是温度太高，标准如何规定？

谢谢！

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zvszcs

LV.12

2011-03-22 12:59

太高了，你过不了50度这关啊，我们一般温升不得超过35度

dolameng

LV.4

2011-03-22 13:44

@zvszcs

太高了，你过不了50度这关啊，我们一般温升不得超过35度

温升35度，那得是软开关吧，硬开关可能么？还是用大的散热片？

dolameng

LV.4

2011-03-22 13:51

@zvszcs

太高了，你过不了50度这关啊，我们一般温升不得超过35度

直接上图上不了，.RAR文件中是一些波形图，请指点。

波形图

bpyanyu

LV.8

2011-03-22 14:04

确实太高了，100VDC输入可以用低电压的MOS了，你要是能在这里选择个好管子应该MOS管的温度下来很多，看你效率也就还行的样子，还是想法加大散热器吧。

liuhou

LV.9

2011-03-22 14:54

是有点高，高温下加个30度就过不了。

还有你试试看能不提高效率啊，你的80%偏低了。

dingyangsr

LV.1

2011-03-22 15:05

你这个温度也实在太高了啊

dolameng

LV.4

2011-03-22 16:53

@liuhou

是有点高，高温下加个30度就过不了。还有你试试看能不提高效率啊，你的80%偏低了。

提升效率，从哪入手呢？变压器是外购的，我改不了。

sangjuen

LV.8

2011-03-22 17:15

@dolameng

提升效率，从哪入手呢？变压器是外购的，我改不了。

开关电源技术，本质上是让变压器和MOS管（或三极管）工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。

拓扑一定下，其关键技术就是变压器的技术！

变压器设计不合理且不能改，永远做不出好电源！

cheng111

LV.11

2011-03-22 22:46

@sangjuen

开关电源技术，本质上是让变压器和MOS管（或三极管）工作在最高效率和最大出力的技术。是频率、输出功率、以及电源效率的匹配与折中的结果。拓扑一定下，其关键技术就是变压器的技术！变压器设计不合理且不能改，永远做不出好电源！

sangjuen大师说的很到位啊。多多指教。

变压器是一个重点，还要考虑你的功率管的温升。

隐形专家

LV.10

2011-03-23 07:04

@sangjuen

正解

dolameng

LV.4

2011-03-23 08:17

@sangjuen

现在也没有确认就是变压器的问题，变压器磁芯和线圈温升并不是高的离谱，50度左右，

如果不是变压器的问题，改善效率的办法通常有哪些？还请sangjuen老师指点。

4楼有驱动，电流，D极电压波形，请参考。

多谢！

sangjuen

LV.8

2011-03-23 08:56

@dolameng

现在也没有确认就是变压器的问题，变压器磁芯和线圈温升并不是高的离谱，50度左右，如果不是变压器的问题，改善效率的办法通常有哪些？还请sangjuen老师指点。4楼有驱动，电流，D极电压波形，请参考。多谢！

驱动上升速度太慢且有干扰。解决振铃你试一下如下的方法：1、在驱动IC的Vcc端对地并474CBB，2、G极Rg并加速电容再串一2欧姆电阻。3、增加-5V负压驱动，使MOS可靠截止。

glf680409

LV.8

2011-06-16 23:48

改用低内阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

powerants

LV.6

2011-06-17 20:50

@zvszcs

太高了，你过不了50度这关啊，我们一般温升不得超过35度

35度,散热器比较大吧

leowang2002

LV.4

2011-06-17 21:06

@glf680409

改用低内阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

看看FET开关损耗有多大？

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