一款高性能高功因2*13W电子安定器！（出了点问题）

可能性比较大的就是驱动参数没有配置好。

烧的过程，最有可能的是，MOS管先坏，而后，变压器相当于直流通路，变压器烧。最后烧断保险。

检查一下工作频率的变化，特别是当灯管老化的时候。同时测量一下驱动端的电压。看是否会损坏MOS管。

你是用什么仪器测试的驱动电压？根据你的描述，我真的无能为力。

必须有准确的测试才能确认。

你可能测错了。要测试MOS的G驱动的电压。另外要测试在你损坏状态下的电压。或者是，你换一灯或者是两灯的状况下的驱动电压。

参数：F=44.5K   CF=2.16  AL=0.15  AK=0.9  W=12.2

这里的变压器饱和，不仅仅是传输变压器。传输变压器是要饱和的，靠饱和来驱动MOS。

不知道你的L3用的是什么变压器。最主要的是L3不能饱和。

注意测量一下L3的温度。如果温度过高，温升超过55度。L3可以加大气隙，多绕线。或者是换大磁芯。

该电路中，传输变压器最好要开气隙，否则，电感量差异太大。会导致电路的频率变化，个体差异比较大。另外，L3和传输变压器的电感大小，要仔细计算。因为其决定传输变压器的匝比和频率等参数。

那就不要测了，你把L3换成大点的磁芯，或者是多绕线，气隙开大点。电感量不变！

先做一下测试，看是否变好。

这个电路，算起来有点复杂。费时费力。

最好是能把MOS的驱动波形给测出来。目前的参数，感觉L3的蓄能的释放，会产生高压。而传输变压器的匝比来看，初级仅仅0.33mH左右。励磁电流较大。增大了L3的感生电压。

感觉，应该，L3气隙加大，电感量减小，传输变压器的气隙减小，电感量增大。

你可以慢慢变化，看结果。注意这个变化的过程管流会增大，可以适当的减少匝比。

再看一下，MOS 是否发热很严重？

驱动的最大值偏高，你查一下你用的MOS的Vgs电压的最大值。如果遇到换灯管，或者是灯管老化，可能会更高。你可以在Vgs并一个15V的稳压管看看结果。

测试Vds的电压，看是否超标。

另外总结一下烧掉的时候，是什么工作状态。

我查了一下，Vgs是正负20V.

你的正常工作峰值都超了。你直接测试MOS管G到地的电压。

现在我也只有帮你顶帖子的功能了。

美国是有类似的板子，但这种电路的少，是一种并联谐振的电路。是很稳定的。据说最先是GE公司的电路。

我没有具体的测试，只是一个猜想，3.9V的稳压管的作用只是为了提升MOS的驱动电压。一是能加速开通MOS,减少损耗，另外就是减少两个MOS同时关断的时间。因为，如果两个MOS都关断了，电感的蓄能将产生很高的电动势，很容易就把MOS击穿了。

他那后面那两个FR107是不是有点多此一举哦。IRF830本身就有的，还有驱动电阻上那两个电容有没用。原机上也没有这些。

你说的有道理。驱动电阻那么小，这里这个电容作用不大。

1、要先检测gs的波形

2、要检测ds的电压波形

3、mosfet的Vth(GS)一般要3V以上，你可以看DATASHEET

4、检查开DS的下降沿和上升沿有无过冲

VGS一般电压不要超过15V

非常感谢，一看就是大师级的人物，小弟佩服万分。留个联系方式吧，QQ：378200378

如果我改后有问题也好再资询你。

不过好像IR正品的830不是很好买哦，然后这是抄别人的板，这一改我又要重新打样。

我的变压器是EFD25，你说的这是只要气隙不要感量吗？其它参数不用变吗。