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【手拉手】MOS管的选取对效率、EMI影响有多大呢?

    最近在搞一款小功率电源,用的原本是 华微的管子,由于没料,用威士的替代,最后效率能够提升将近一个点,辐射也有所改善.

大家是不是遇见过这种情况呢?来探讨一下喽。

电源技术探讨     群号:233403008

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amonson
LV.8
2
2012-06-19 23:20
一般来讲,硬开关的方式,效率高则EMI差。你这个辐射变好了可能只是因为分布参数碰巧避开了更高的谐振频率。。。
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2012-06-19 23:21
MOS管GS和DS两端的结电容大小影响EMI和RFI,你可以比较一下它们结电容的大小。
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2012-06-19 23:58
@amonson
一般来讲,硬开关的方式,效率高则EMI差。你这个辐射变好了可能只是因为分布参数碰巧避开了更高的谐振频率。。。

amonson兄,您好!好久不见哦!最近做的是小功率的LED电源,感觉对于PF,EMI,效率要做折中选择。否则,效率,PF值高,EMI裕量不足;如果EMI裕量足,PF,效率有所变低(相对来说)。

刚开始搞EMI两星期,感觉这个东西很神秘。有时可以测试通过,有时不通过。同样的机型,同样的改法,有的能过,有的就不过。

因为是小功率电源,EMI整改,调整的元器件或者参数就不多,感觉不是很好整改。

amonson兄,有哪些经验分享一下喽。

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2012-06-20 00:01
@高等数学
MOS管GS和DS两端的结电容大小影响EMI和RFI,你可以比较一下它们结电容的大小。

高数兄,您好!现在很少看见你来论坛哦,应该很忙哦。前段时间去应聘看到了你的一个女同学哈。

圆规正传,对于你说的这个,我下去要查和测试一下这两个管子的参数哦。

对于EMI整改有哪些措施呢?高数兄。

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amonson
LV.8
6
2012-06-20 00:13
@笨小孩1114
amonson兄,您好!好久不见哦!最近做的是小功率的LED电源,感觉对于PF,EMI,效率要做折中选择。否则,效率,PF值高,EMI裕量不足;如果EMI裕量足,PF,效率有所变低(相对来说)。刚开始搞EMI两星期,感觉这个东西很神秘。有时可以测试通过,有时不通过。同样的机型,同样的改法,有的能过,有的就不过。因为是小功率电源,EMI整改,调整的元器件或者参数就不多,感觉不是很好整改。amonson兄,有哪些经验分享一下喽。
APFC吧?这个东西就是玩折中,你有成本和体积的压力,能改的东西不多,所以不要追求完美,平衡就好。样机的差异最可能是磁性器件的差异,一般来说电感可能是-25%到45%之间的误差,所以这个要注意,还有就是变压器的工艺,如果是手工绕的可能一致性也要差一些。我现在搞EMI不过了就加滤波器件,只要体积不超不在乎成本的,所以我的搞法不一定适合你。。。
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2012-06-20 00:22
@amonson
APFC吧?这个东西就是玩折中,你有成本和体积的压力,能改的东西不多,所以不要追求完美,平衡就好。样机的差异最可能是磁性器件的差异,一般来说电感可能是-25%到45%之间的误差,所以这个要注意,还有就是变压器的工艺,如果是手工绕的可能一致性也要差一些。我现在搞EMI不过了就加滤波器件,只要体积不超不在乎成本的,所以我的搞法不一定适合你。。。

amonson兄,是单级PFC,英飞凌的TDA4862G,做的是12W电源。而且是低成本的,而且要求传导和辐射都要求6dB的裕量以上。

最近整改的措施有以下几点:

1、最重要的:调整变压器的绕法,(个人认为堆叠绕法相对三明治绕法对EMI有改善,而且还需要外加屏蔽铜箔)

2、辅助VCC绕组的慢管改快管

3、增大MOS管的驱动电阻

4、MOS的DS级间并高压低容量陶瓷电容等措施

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zvszcs
LV.12
8
2012-06-20 08:58
有很大的影响,顶起来,用了才知道
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2012-06-20 12:40
@zvszcs
有很大的影响,顶起来,用了才知道
Z叔遇见过这种情况吗?现在的这个电源主要是功率较小。
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一者
LV.2
10
2012-11-21 20:26
@笨小孩1114
amonson兄,是单级PFC,英飞凌的TDA4862G,做的是12W电源。而且是低成本的,而且要求传导和辐射都要求6dB的裕量以上。最近整改的措施有以下几点:1、最重要的:调整变压器的绕法,(个人认为堆叠绕法相对三明治绕法对EMI有改善,而且还需要外加屏蔽铜箔)2、辅助VCC绕组的慢管改快管3、增大MOS管的驱动电阻4、MOS的DS级间并高压低容量陶瓷电容等措施

问下,你这些措施是增加效率的还是改善EMI的?我的理解是加驱动电阻是改善效率的,并DS两端陶瓷电容有什么用?防止LC谐振?还是改善EMI?我现在遇到个情况,就是下面的取样电阻电压波形一开始有个很大的尖峰,现在换了MOS管就尖峰变得很小,那这个是结电容影响的吗?我怀疑有两个,一个是LC谐振了,另一个是结电容比较大,导通时结电容放电造成尖峰,我尝试了在DS两端并10nf的和160nf的电容,尖峰没有什么变换,既没有变小也没有变大,我就无法理解了,求解惑。。。

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一者
LV.2
11
2012-11-21 20:41

并DS两端陶瓷电容有什么用?防止LC谐振?还是改善EMI?我现在遇到个情况,就是下面的取样电阻电压波形一开始有个很大的尖峰,现在换了MOS管就尖峰变得很小,那这个是结电容影响的吗?我怀疑有两个,一个是LC谐振了,另一个是结电容比较大,导通时结电容放电造成尖峰,我尝试了在DS两端并10nf的和160nf的电容,尖峰没有什么变换,既没有变小也没有变大,我就无法理解了,求解惑。。。

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