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EMI 30M处 改善方案

附件为12V3A 适配器的传导波形

虽然已经PASS,但30M处的值比较高,如测辐射的话,估计过不了

原副边Y1电容222,输出肖特基之后2个680u电解 串 1个3.3uf的工字型电感+680u电解

输入EMI,0.22u X2电容+28mH UU10.5共模电感

不知各位有何好办法可以改善30M的波形

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10227
LV.7
2
2012-07-31 10:16
1.在输出整流管两端并联RC滤波器.
2.可增大MOS驱动电阻.
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jiaoao
LV.9
3
2012-07-31 10:40
@10227
1.在输出整流管两端并联RC滤波器.2.可增大MOS驱动电阻.

共模电感器用镍锌磁环尝试

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2012-07-31 15:34
@jiaoao
共模电感器用镍锌磁环尝试

输出肖特基已经加过RC了

驱动电阻已经47Ω,不能再大了

不使用UU10.5改用镍锌磁环,这方案可以试试

jiaoao,是否曾经这么整过呀?可以讲下为何吗

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jiaoao
LV.9
5
2012-08-03 16:00
@sealand_1981
输出肖特基已经加过RC了驱动电阻已经47Ω,不能再大了不使用UU10.5改用镍锌磁环,这方案可以试试jiaoao,是否曾经这么整过呀?可以讲下为何吗

有过尝试。30M是MnZn高导铁氧体满足不料的。

镍锌在30M还有电感量 WL大。

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mofa520
LV.8
6
2012-08-03 16:55
变压器呢?有没有屏蔽?屏蔽接初级地看看!
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xf_wzj
LV.3
7
2012-08-03 22:40
@sealand_1981
输出肖特基已经加过RC了驱动电阻已经47Ω,不能再大了不使用UU10.5改用镍锌磁环,这方案可以试试jiaoao,是否曾经这么整过呀?可以讲下为何吗

一次侧嵌位电路可以考虑用慢管IN4007

输入电容并联高压瓷片电容

改变变压器绕组分布,变压器正反绕,加外屏蔽、、

应该会有些改善

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2012-08-06 18:24
整流二极管加磁珠试下。
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2012-08-07 14:49
@zhangwei0846
整流二极管加磁珠试下。

各位的建议很好,非常感谢

由于目前没条件测试,下次去苏州我会试试的

 

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19951801
LV.3
10
2012-08-07 14:54
@sealand_1981
各位的建议很好,非常感谢由于目前没条件测试,下次去苏州我会试试的 
输出加个小共模,或输出线加个磁环,
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19951801
LV.3
11
2012-08-07 14:56
@19951801
输出加个小共模,或输出线加个磁环,
某些方案可以用两个Y电容
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2012-08-07 15:38
@19951801
输出加个小共模,或输出线加个磁环,

加小共模不太可行,需要重新layout啊

 

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10227
LV.7
13
2012-08-08 10:12
@sealand_1981
加小共模不太可行,需要重新layout啊 

是因layout问题?

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2014-03-17 11:50
@xf_wzj
一次侧嵌位电路可以考虑用慢管IN4007输入电容并联高压瓷片电容改变变压器绕组分布,变压器正反绕,加外屏蔽、、应该会有些改善

加外屏蔽是闭环,还是不闭,用不用接地

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