有没有资料和测试数据呀

先不提问题在哪啦，要看到线路参数才好下结论。不过上面几楼谈到的变压器确实有隐患。这种变压器Ae，Ve很大，磁芯损耗很大，而绕线窗口Aw很小，线圈匝数又不能太多，势必又要选取更大的Bm。最后容易造成变压器温升很高。建议查一下变压器设计参数。

你接几颗LED？按照推荐的方案来做么？ 

R3采用100欧姆可能太大了(如果采用输出5V给芯片VDD供电,100欧姆没问题),实际到达芯片VDD的电压小了,MOS管驱动电压也会小,驱动不了大负载,可以将R3改小为10欧姆,R3建议还是保留.带1A太勉强了,即使正常工作输入电流也接近2A了,不建议工作到1A.效率低,可能是环路震荡,能力都耗在mos管上了,具体看你线路的现象.

两个原因:1)Q1的Rds_on比1301内部MOS管的Rds_on小很多,所以绝大部分电流都从Q1走,需要在S极和GND间串联小电阻;2)Q1的线宽不够.

问得有点笼统拉,最好多些细节:)大功率得layout最重要的当然是主电流回路了.0)四层板一般都做成signal--GND--POWER--signal.1)主电流回路要注意线宽,回路尽量短.2)功率地和模拟地或小信号地要尽量隔离.3)高频信号线要尽量短,直.4)如果有高压,要注意爬电距离,按照600V/1mm计算.而且如果有高压,尽量不用四层板,最多2层.如果用四层,高压线位置对应的其他层,不要走线.

带不起多久什么意思?你的变压器次级和辅助绕组耦合不够,所以辅助电压爬升很厉害.采用三明治绕法试试,即:1/2Np--Ns--1/2Np--Naux.还有你的辅助绕组多少?应该取8~10匝即可,太大的话辅助绕组电压会高,太小系统起不来.

这款产品我正好很熟悉.该应用带600mA负载是没有问题的,我做过锂电池升5.5V带500mA的方案,效率85%以上.采用输入供电,输出供电都可以实现你的要求.恕我直言:楼主的方案带不动负载的问题主要在layout.1)L1,D1是大电流通路,应尽量短.2)芯片pin4--LX是高频大电流走线(楼主的应用方案是外部MOS和内部MOS并联),需要尽量短,粗.3)pin2--EXT是高频线,稍微长了些.4)如nathan兄所言,焊盘应该铺满,十字焊盘过流能力不足.楼主按照以上几点修改,相信可以达到预期效果:)另外两点建议:1)L1可以增加至10uH,减小纹波,提高效率.2)IRF7832的S极串联0.1~0.33欧姆电阻到地,防止MOS烧毁.

可否贴个图上来或告知用哪款芯片?Nokia手机充电需要5.5V的门限电压,用DCDC设计手机应急充时,一般都串一个小电阻在输出回路里,使得充电器空载输出5.5V以上,充电时输出电压跌至3.7V~4.2V.

所谓的DCM和CCM,就是变压器的工作模式.我们讨论市电输入情况(85VAC~265VAC).已知输入输出条件情况下,应该说只要变压器的匝数比能让系统工作,具体DCM或CCM都没关系,造成的影响是变压器体积的大小,匝数的多少.因此,合理才是王道.我们知道,最小输入Vin_min及最大负载条件下,占空比最大,我们只要分析这个点即可.一般把变压器在该点的工作状态假设为三种状态之一:CCM,DCM或者临界状态BCM.当最大输入电压或者轻载情况下,自然变压器会在DCM.下面有两种极端:输出功率小的时候,如果变压器始终工作在CCM,设计出来的变压器会要求初级电感量和初级匝数很大,变压器有可能空间不够或者气隙长度无法满足要求;而输出功率大的时候,如果变压器始终工作在DCM,初级电感量会很小,通过MOS管的尖峰电流会很大,容易造成MOS的损坏.我的经验:1)Po20W,设计在CCM.这时可以假设一个参数K.在CCM下,通过MOS管的电流为梯形(如下图),假设上面的三角部分为ΔI,电流峰值为Ip,则K=ΔI/Ip,K=0~1,当K=1时,即BCM或DCM模式.根据Po和实际情况,可调节K,得到你想要工作状态.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/72/2500071228236172.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">