气隙增加，主要是为了降低Core的磁通密度，因为增加气隙后，磁通量大部分都集中在气隙的位置，这个样子整个core的磁通密度就降下来了，但是对于漏感的影响基本上是维持不变的，原来也有很多人跟我说，气隙增大变压器的漏感会增大，但是通过我做实验的结果表明，漏感是基本上维持不变的，不信的话，自己找个变压器的Core磨磨测试一下就知道结果了，不要人云亦云了。

 多谢了！

多谢了！已经找到问题所在了，详细请参考附件中计算公式。另外现在看到好多的变压器计算公式都是那种错误的计算公式，所以为了变压器计算的准确点，还是看看吧，哈哈[图片]Finalcalculation_updated 

开关管导通的是时候，是给电感充电的过程，关段的时候，放到副边的能量，是储存在电感中的能量，更新计算公式 [图片]Boostcurrent1 

针对你提出的问题，可以通过下面的计算公式来得到，请参考：[图片] 

ifCCM,wecouldgetthesameresultaccordingtothefollowingequation:[图片] 

多谢您的回复，我只是想通过理论上的推导来看看到底哪些因素会影响辅助绕组Vcc的电压，主要是我的几个同事为了这个问题做了讨论，最后也是不了了之，所以我想通过理论的推导来看看Vcc的变化规律。另外，我的推导建模是定频的情况下建模的，对于变频的建模方式还没有考虑。以上，谢谢！

请高手指点

楼主，你好！我有通过理论来计算反激变压器的值，只是计算出来的Lp和实际选用的相差很多，大概在一倍左右，计算的步骤是这个样子的(1)设置在最小工作电压的工作占空比D(D取0.4)(2)推导出匝数比([nVo/(nVo+1.4Vin)]=D)(3)计算原边电感0.5*Lp*I^2=Pout/η通过以上步骤计算的电感值为实际选用的电感值的一半左右，不知道大家能不能验证一下，这个计算方式是否在实际应用中好用？有了结果，大家共享一下。

仔细看了一下，确实原来的理解有问题，我想是不是可以这样子的考虑，如果单单考量单匝线圈的磁通量=BS=LI,如果是N匝线圈的磁通量是多少呢？因为L和NI成正比，所以此时电感就变成了NL了，此时磁场强度是不是变成了NB,所以考量N匝线圈的磁通量的时候是不是就是=NB*S*N=N^2*L*I,当然整个线圈的电感量也就变成了N^2*L这个样子的解释应该到位了吧？以上，请指教。