你仿真的目的是？100v到50v你用20k？你先看看D2的模型合理不，加大TRR1

电解不用那么大，陶瓷显然在这没有薄膜好。我猜你是推挽拓补，薄膜电容放在变压器附近，开关瞬间能量取自薄膜电容，电解再大也不起作用。陶瓷容量随电压变化大。不知你输入端有共模电感没有。

为什么要用电解电容呢，用两个4.7uf的薄膜电容足够了

限制功率的原因不是因为芯片在原边，是因为反激的拓补原理。

R2是帮助reset磁芯的，主要电流路径是二极管R3，然后回去。

R1=1kR2=1kR3=20你电阻值设的不对。

二次侧二极管上加RCD吸收。

SYNC还有波形？不是应该悬空吗。

是不是也可以减少倍压的级数，每一级内用多个二极管串起来。这样变压器二次侧的抽头数量能少一点。

终于看到一个靠谱的回复，半桥理论上就不能用峰值电流控制。