这东西是电鱼用的?

两个电流会大,但不是两倍,并得越多,效率越低.MOS管的特性决定了它会自动均流的,对跨导等一致性要求不像IGBT那样高

标好位号,别人才好给你分析!

这几个参数是算不出电机效率的,因为与电机效率相关的的因素太多.一般来讲需要直接加电来测量出的.40v/krpm是在foc或V/F控制中用到,表示速度增加1000rpm电机相电压增加40v,理论上此系数应该等于额定电压/额定转速如果说的有错误,请纠正

zyqag,想带IPM还要单独设计驱动电路,这个板子驱动功率肯定不够

呵呵,还不错,我就是随便说说如果是4层板上面可以不用覆铜,方便调试,手动改线路给国家省点铜资源吧^_^

你每次都是固化运行的?一般只是产品才会不带ram的,板子上CY7C系列或者别的的芯片你找找应该有的

空间浪费太大了还有,没有必要这样子覆铜的

从外部ram开辟一个存储区,每隔10us存储一下产生pwm定时器的计数器数值,然后中断程序利用CCS的绘图功能将存储在ram中的数据画出来即可

你好!你的问题和接法没有说太清楚,我也不好判断,首先确认的是,正常逆变控制的时候,P应该接直流侧正极,NUNVNW应该接负极(应该是你说的地),OK!首先,你说的B-不知是不是指V相下桥臂,如果是的话,按照单个测试内部IGBT接法,将V输出与地之间串接一电源和电阻测V相下桥臂是对的啊,如果此时Vn端为低电平,管子不应该导通;如果Vn为+15V则导通,此时电阻上就会有相应的压降,理论上如此.你说V端输出只随电源变化而变化那就有可能是IGBT击穿,也有可能不是.1、不要加电用万用表测IGBT是否处于开路状态(注意表笔正负)2、如果此时DS处于开路状态,你尝试给Vn端和NV端一个反向偏压,然后再次测量是否仍然开路,如果仍然开路则IGBT九成是坏了