大家好,最近在搞一个数字式充电器,主要方案采用双管正激构造,输入直流电压范围25V~110V,输出为30V,为24V电池来进行充电,最大充电功率为500W,采用EE42/21立式骨架来做功率变压器,开关频率为100KHz。
写下这个帖子,一方面是为了调试记录所需,更主要是在调试的时候可以和大家一起来进行学习与分享。欢迎大家的踊跃讨论,让我们大家一起进步学习!
大家好,最近在搞一个数字式充电器,主要方案采用双管正激构造,输入直流电压范围25V~110V,输出为30V,为24V电池来进行充电,最大充电功率为500W,采用EE42/21立式骨架来做功率变压器,开关频率为100KHz。
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我觉得这个驱动电路设计的有问题 ,你使用了类似半桥的驱动电路来驱动单端变换器。因为输出信号可能从小的占空比到50%,驱动电路后的隔直电容去掉了直流分量,波形大于零的面积和小于零的面积是相等的,这样对不同占空比的信号大于零的幅度是不一样的,比如50%信号,就变成正负6V的矩形波了。隔直电容上并联的二极管稳定后是没有导通机会的 ,因为电容上的直流电压是 左边为正。解决这个问题的方法是,驱动级也按照单端正激方法来做。另外你说上管的驱动和下管不一样,这个只能说是驱动变压器的这两个次级不等价,比如耦合的不一样。如果你把两个次级绕组用双线并绕的方式,应该不会有信号不一致的情况,如果还有检查是否有器件和连接问题。希望对你有帮助!
其实这个电路主要是参考ON的一款芯片,他们提供评估板,电路的构造有如上贴发的不同之外,其他全部一样,见电路原理图:(我觉得这个文件对做双管正激电源有很大的参考意义,非常好)ncp1252(双管正激)
好的jianyedin兄,上午我会马上绕一个变压器出来;
今天早上一回来,发现一个问题,居然将主电路的MOSFET的封装搞反了,原来的G和D极性调了个个,晕死,怪不得主回路加电后始终不导通,而且高端驱动信号过载,时有时无,低端驱动信号干脆全无,找到这个问题后,主要回路加电(电压18V,电流可设置限流0.3A,按照道理说这个调试顺序有问题,但是不会烧管子就OK),测试后发现回路可以控制通断,电流PWM占空比受控,能够进行控制功率。取得一定进展。
另外早上一来,我给杭州电子市场的一个王工电话,我跟他说功率没有出来,他提醒我说驱动变压器的磁芯之间要磨气隙,磨了加一张纸片就好,照做后,再观察驱动信号波形,比原来好点,但是信号幅度还是不高,另外前沿想在加陡一点。继续改进。