具体在隔离反激式典型的应用时,如下图:
MOS的选用,在价格相近的情况下,大家对什么参数更关心呢?
如下面表格中,1.000、2.000、3.000分别代表三个不同的料(测试数量>10k),大家会选哪个料号应用于生产?
欢迎积极发表您的意见。
看了一些帖子,如:
心中有冰的“【讨论】说说MOSFET那些事”http://bbs.dianyuan.com/topic/1046693
zq2007的“【讨论】关于Coolmos的选择与应用”http://bbs.dianyuan.com/topic/754966
贴里各位大拿对MOS的参数、通态损耗、开关损耗等有了很详细的描述,而且很多都是实际应用过总结的经验,获益良多。我自己总结起来,大家比较关心的主要是BV、Rd、Qg这三个参数,而这三个参数也是MOS设计中相互制约的三对矛盾。
在现阶段的实际生产应用中。一方面,如超结等新工艺的MOS,较高的价格,很难大量在低端应用中推广;另一方面,市场上平面工艺的MOS产品,BV、Rd这对矛盾的处理接近瓶颈。所以,低Qg设计的产品将会是生产厂重点考量的对象。至少我是这样认为的。
至于国产MOS一致性差这方面的问题,就看各间封装厂如何改善测试机、如何在成本与测试环节中均衡去完善了。