• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

请教关于MOSFET的耗散功率

MOSFET的DATASHEET里都有一个耗散功率,随温度升高耗散功率降低,请问这个耗散功率是什么意思.比如一个MOSFET在25度时的耗散功率是400W,那这个MOSFET是否就不能用在600W输出的BOOST升压APFC上?另外,如果是半桥逆变电路,输出为600W,那么是否每个MOSFET的耗散功率只要选择300W就够了?
请指教,谢谢!
全部回复(5)
正序查看
倒序查看
yxh5692
LV.2
2
2006-10-11 11:07
希望能得到高手指点!
0
回复
daphnis
LV.2
3
2006-10-11 11:18
这个功率是指的这个mos管自己本身可以承受的这么大的功率.

所以跟你整个的电路输出功率是没有直接关系的.

所以这个功率跟你那个功率是两回事...可不可以用取决与你的mosfet部分电路承受.
0
回复
yxh5692
LV.2
4
2006-10-11 11:22
那这个耗散功率是不是Id平方X Rds?这样算的话电流要大大于额定的Id才会超过这个功率.那给出这个数据就没什么意义了吧
0
回复
daphnis
LV.2
5
2006-10-11 11:54
@yxh5692
那这个耗散功率是不是Id平方XRds?这样算的话电流要大大于额定的Id才会超过这个功率.那给出这个数据就没什么意义了吧
id平方Xrds,只是在该条件下的rds,不是他的最大耗散功率.
rdson是随着器件的运行而改变的.

所以要算在最恶劣情况下的,rds及在该条件下运行的电流,电流值和最大耗散功率值必须仔细观察因为它
们只有当背板温度到25 ˚ C时才能达到.

所以你那样算出来.不是它的最大耗散功率.
0
回复
yxh5692
LV.2
6
2006-10-11 12:01
谢谢指教,那MOSFET的选择和这个耗散功率就没有什么关系了好象,因为即使在最恶劣情况下算出来的值也是远远低于额定的耗散功率的.可是我不明白,为什么一个母线电压400V、输出600W的半桥逆变电路,要选用Id高达40A的MOSFET?
0
回复
工程师都在看
关于三极管和稳压管组成的稳压电路
24c01硬件电子
【 DigiKey DIY原创大赛】锂电池组均衡充电电路设计
tanb006
【 DigiKey DIY原创大赛】一种小型卫星基站设备
26684
【 DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计（二）PCB Layout篇
砖一谈芯
如何使用伯德图进行电路稳定性分析（3）-利用闭合速度法分析和补偿恒流源电路
听风织云
立
即
发
帖