MOSFET的驱动电压Vgs位于V(th)与Vplateau之间会怎么样？

先说一下我自己的理解吧。我觉得，这个时候MOSFET会开启，但是，由于Vgs低于米勒平台电压，故不能确定MOSFET最终能开启到什么样的状况~~~~~~Rds(on)估计会很大。希望能达到大家的释疑帮助，谢谢！

嗯，如果Rds(on)很大的话，能大到什么样的程度？从规格书上看，这个时候对应的最大Id也比较小，但是对应的Rds(on)有多少，却是找不到~~~~~

以IRF640的图表为例，此时Rds(on)会增大很多。

嗯，最大Rds(on)能增大到多少呢？下图是MOSFET的SOA区，左端斜向上升的曲线受限于最大Rds(on)。请问此时的的Rds(on) 会低于这个最大Rds(on)吗，还是有可能比这个值更大？ 除了对着SOA区上的直线自己计算以外 ，最大 Rds(on) 在MOSFET规格书中哪里能看到？