本人近来研究3525推IGBT的JJ,走入误区,用3525直推双管IGBT小功率下那是相当有效!在重负载情况时IGBT狂热,电流奇大,效率贼低!在经好心大虾指点下明白了IGBT和MOS不同,结电容大很多,所以3525的泄放电路对IGBT效果不好,造成关断拖尾才会如此.得知IGBT在要迅速关断需要一个5V的负压加到栅极,
结合自己的一点皮毛电子知识,发现3525基础上加几个元件可以对IGBT产生关断负压,我研究老半天,自认为在理论上是可行的,麻烦各高手斧正!欢迎拍砖!过几天有空就实施了,有建议快上!看图分析. 2452941211388625.doc
