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INN3279设计的USB接口电源

INN3279芯片将一次侧、二次侧和其他电路集成在单一表面芯片封装中。GaN切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失，大大减少能源浪费，从而提高节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输送。

利于INN3279芯片设计的电源，支持电压范围5V/3A; 9V/3A; 15V/3A and 20V/3A的输出，电源输出功率最大可以到65W，整个电源的待机功耗可以控制在30mW内。

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奋斗的青春
LV.10
2
2021-08-02 19:00

主控芯片集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能，适合恒压/恒流离线反激式电源开发、

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奋斗的青春
LV.10
3
2021-08-02 19:01

适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源，特别是那些必须符合强制性总能耗标准的电源。

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奋斗的青春
LV.10
4
2021-08-02 19:02

芯片的封装11.5 mm爬电距离和电气间隙，使得可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更强。

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紫蝶
LV.9
5
2021-08-02 19:25
@奋斗的青春
主控芯片集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能，适合恒压/恒流离线反激式电源开发、

PI的FluxLINK通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制.

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k6666
LV.9
6
2021-08-03 18:52
@奋斗的青春
适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源，特别是那些必须符合强制性总能耗标准的电源。

这个系列芯片集成了同步整流功能，电源的开发效率高，功耗很低。

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k6666
LV.9
7
2021-08-03 18:53
@紫蝶
PI的FluxLINK通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制.

芯片具有隔离式数字通信技术FluxLink，还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。

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fengxbj
LV.8
8
2021-08-03 19:03
@奋斗的青春
芯片的封装11.5mm爬电距离和电气间隙，使得可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更强。

芯片的封装保证了足够的爬电距离及电气间隙，保证大电流的输出可靠。

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fengxbj
LV.8
9
2021-08-03 19:03
@紫蝶
PI的FluxLINK通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制.

该专利技术可提供非常大的通信带宽，实现极快的负载瞬态响应。

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fengxbj
LV.8
10
2021-08-03 19:04
@k6666
芯片具有隔离式数字通信技术FluxLink，还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。

创新性的FluxLink技术，省掉了光耦元件，电源的开发质量提升不少。

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ycdy09@163.com
LV.9
11
2021-08-04 17:38
@奋斗的青春
适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源，特别是那些必须符合强制性总能耗标准的电源。

简化反激式电源变换器的设计，使用贴片封装没有散热器体积更小了。

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fengxbj
LV.8
12
2021-08-04 20:55
@紫蝶
PI的FluxLINK通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制.

这个技术是PI的专利技术，可以有效实现原次级的通信，同时满足高压隔离，且内部集成。

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fengxbj
LV.8
13
2021-08-04 20:56
@ycdy09@163.com
简化反激式电源变换器的设计，使用贴片封装没有散热器体积更小了。

贴片封装的产品的确体积小，但导致同型号下支撑的输出功率会小点。

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尘埃中的一粒沙
LV.5
14
2021-08-12 17:50
@fengxbj
芯片的封装保证了足够的爬电距离及电气间隙，保证大电流的输出可靠。

芯片的封装就能保证爬电距离的技术参数要求，这点不用去考虑的。

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gxg1122
LV.10
15
2021-08-16 18:30
@fengxbj
这个技术是PI的专利技术，可以有效实现原次级的通信，同时满足高压隔离，且内部集成。

PI的集成高隔离电压的功能模块。同时又实现通信，封装再内部。

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gxg1122
LV.10
16
2021-08-16 18:31
@fengxbj
创新性的FluxLink技术，省掉了光耦元件，电源的开发质量提升不少。

大功率的快充电源设计选择器件都比较好，质量要稳定，并且发热散热处理好。

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sunzenghui98
LV.6
17
2021-12-27 13:22

集成度更高，更加紧促，效率更好反而无需担心热处理；使得设计更加简化，功耗也很大幅度提升；

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黑夜公爵
LV.10
18
2023-03-18 10:55
@紫蝶
PI的FluxLINK通信技术无需使用任何磁芯材料即可在安规隔离带之间进行反馈控制.

内部功率限制功能会作为输出过载的函数将输出电压调整到设定的稳压阈值以下

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lijian_power
LV.5
19
2023-03-21 10:48

INN3279芯片将一次侧、二次侧和其他电路集成在单一表面芯片封装中。GaN切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，这样做减少了传统设计的开关损耗，待机功耗小，效率高

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yujunice
LV.5
20
2023-03-21 20:15

IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，减少能源浪费！

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快乐的小天使
LV.8
21
2023-03-21 21:47

GaN切换开关取代了传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗

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dy-n66BzSV7
LV.6
22
2023-03-21 21:55

非常不错的设计，为什么需要外接这么大的电容

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dy-nmLUWFNr
LV.8
23
2023-03-21 22:18

集成度越高是不是意味着散热越不容易

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新月GG
LV.10
24
2023-03-21 23:07
@dy-nmLUWFNr
集成度越高是不是意味着散热越不容易

趋势是这样的，但是技术追求的就是不断的集成。

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追魂幡℃
LV.7
25
2023-03-22 17:56

用innoswitch可以大幅减小电路板面积 还能有很高的利用率

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tmpeger
LV.10
26
2023-06-12 21:27
@fengxbj
这个技术是PI的专利技术，可以有效实现原次级的通信，同时满足高压隔离，且内部集成。

金属氧化物压敏电阻在不同输入电压瞬态期间进行箝位，以便为输入元件提供保护

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lishuai110
LV.4
27
2023-06-25 16:04

USB的接口也能做到20V3A这么60W的输出吗？得改成TYPE-C方案才可以吧

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dy-StTIVH1p
LV.8
28
2023-06-25 16:44

如此紧凑的设计，怎么样有效降低信号间的干扰

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大海的儿子
LV.10
29
2023-07-06 21:42

氮化镓有很大的优点，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。

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trllgh
LV.9
30
2023-07-06 22:19
@大海的儿子
氮化镓有很大的优点，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。

在氮化镓晶体管中，COSS的增加与RDS(ON)的减少之比要低一个数量级。

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trllgh
LV.9
31
2023-08-22 21:41
@追魂幡℃
用innoswitch可以大幅减小电路板面积还能有很高的利用率

InnoSwitch的IC采用了名为FluxLink的磁感耦合技术，可在省去不可靠的光耦器的前提下同时对初级和次级MOSFET进行开关控制。

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