NCP349MNAETBG具有高达+28 V的正过电压保护。由于该产品使用内部NMOS，因此无需外部设备，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。由于集成的低Ron功率NMOS（65 mΩ，如果输入电压超过过压阈值（OVLO）或欠压阈值（UVLO），NCP349能够立即断开输出与输入的连接。通电时（EN（BAR）引脚=低电平），当Vin超过欠压阈值后，Vout开启。NCP349提供负向标志（标志（条形））输出，提醒系统发生故障。此外，当使用1.0µF或更大的电容器旁路时，该设备具有ESD保护输入（15 kV空气）。广泛应用于手机 照相手机 数码相机 台式机、便携式计算机等多种领域。
特性：
1.高达28 V的过压保护
2.采用超小封装低RDS（On）NMOS晶体管：65mΩ
3.过电压锁定（OVLO）
4.欠压锁定（UVLO）
5.内部软启动
6.警报标志输出
7.关机输入
8.符合IEC61000标准-4.-2（4级）
8.0 kV (Contact)
15 kV (Air)
