Power Integrations 为了进一步提高开关电源的效率和可靠性，全新开发了一款单管氮化镓电源IC——InnoSwitch™3-EP 1250V IC，旨在满足工业用电的更高需求和期望。
产品优势：1250V的PowiGaN™具有更高的电压裕量，以及更出色的耐用性和可靠性，适用于很多更高输入电压的应用，而即使在输入电压不稳定的情况下，也能对其提供保护，保证整体电源的可靠运行。
为什么选择氮化镓作为开关器件的基底材料？
氮化镓作为第三代半导体材料，具有比硅（Si）、碳化硅（SiC）更突出的优势。例如，氮化镓可以承受更高的工作电压，这意味着其功率密度及可工作温度也相对更高。也就是说，氮化镓具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持更高环境温度工作等特点，能够在更高的电压下提供更低的损耗，并且在开关切换时使用的能量更少。
选择1250V的PowiGaN™开关方案，其效率要比650V的硅开关方案高出1%，其损耗也比传统的硅开关方案减少近一半左右。PowiGaN™功率变换的效率可以达到93%，这不仅能使工作温度大幅降低，还有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。即使在高达85W输出功率的情况下，也无需金属散热片。可以说，在高压反激类的应用当中，PowiGaN™开关要更优于MOSFET。
InnoSwitch3-EP系列IC融合了高效能、紧凑尺寸和卓越的保护特性，耐压1250V，空载功耗小于30mW，采用先进的PowiGaN™技术，可实现高达100W的功率输出，而无需散热器。具备卓越的CV/CC精度以及多输出交叉调节，集成FluxLink™技术和HIPOT隔离的反馈链路，可实现高精度的输入电压和负载综合调整率。同时提供多种安全功能，包括SR FET栅极开路检测和自动重启保护等
