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利用INN3949CQ设计70W电源的高边侧电路

设计一种针对电动汽车的70W单输出汽车电源。支持190VDC至450VDC的宽输入范围。采用InnoSwitch3-AQ系列IC中的1INN3949CQ。

在初级侧绕组上放置了一个R2CD型缓冲电路,以限制内部SiC MOSFET开关在关断期间看到的漏极-源极电压峰值。应使用超快(或更好)表面贴装、符合AEC-Q标准的二极管。二极管D201满足爬电距离和间隙要求,并确保二极管上的反向电压不会超过其额定值的70-75%。电容器C200和C201捕获来自变压器T200漏感的能量。选择电容器的值以最小化缓冲电阻网络上的电压纹波,并在开关周期内保持接近恒定的功耗。电阻R200至R204耗散缓冲电容器储存的能量。选择电阻的值,使其平均电压不超过其电压额定值的80%,并且耗散的功率小于其额定功率的50%。

IC200是自启动的,使用内部高压电流源为BPP电容器(C207和C208)充电。变压器T200辅助绕组在正常工作期间向IC200的初级侧提供能量。这最小化了从内部高压电流源获得的能量,提高了整体效率,并减少了IC200的加热。辅助绕组的输出通过二极管D200和电容器C205及C206进行整流和滤波。电流通过电阻R211馈送到BPP引脚。

IC200 INN3949CQ IC的V引脚用于提供线路欠压开/关功能。当注入到V引脚的电流高于UV引脚棕入阈值(IUV+ = 27 µA)时,IC200 INN3949CQ IC被启用,否则它将关闭。V引脚默认通过跳线电阻R216连接到HV RTN以禁用UV,但包括了额外的UV设置。必须计算电阻R212至R214,以便在D204夹紧R214和R215之间的电压后,注入到V引脚的电流高于棕入阈值。

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htwdb
LV.7
2
10-21 11:15

INN3949CQ最大可支持100W功率输出,其负载效率也可以达到95%左右,性能很不错

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tanb006
LV.10
3
10-22 10:52

检流电阻上为啥要并联一个二极管?这是啥用途呢?

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xxbw6868
LV.9
4
10-22 13:09
@htwdb
INN3949CQ最大可支持100W功率输出,其负载效率也可以达到95%左右,性能很不错

PowiGaN技术,输出功率高达100瓦,效率还很高,这样不仅省去了使用散热片的需求,还简化了空间有限的应用设计。

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10-22 22:52
@htwdb
INN3949CQ最大可支持100W功率输出,其负载效率也可以达到95%左右,性能很不错

性能很不错的,有需要可以使用

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10-22 22:53
@tanb006
检流电阻上为啥要并联一个二极管?这是啥用途呢?

保护,防止反电动势?

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10-22 22:53
@xxbw6868
PowiGaN技术,输出功率高达100瓦,效率还很高,这样不仅省去了使用散热片的需求,还简化了空间有限的应用设计。

主要还是用电路板铜箔散热

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10-23 22:45
@htwdb
INN3949CQ最大可支持100W功率输出,其负载效率也可以达到95%左右,性能很不错

这个负载的情况下,效率已经很高了。高于95的片子不多呢

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10-24 00:30

在初级侧绕组上放置了一个R2CD型缓冲电路,以限制内部SiC MOSFET开关在关断期间看到的漏极-源极电压峰值,峰峰值怎么测量?

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dy-nmLUWFNr
LV.8
10
10-24 07:43

怎么样有效减少高边侧电路毛刺发生

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地瓜patch
LV.8
11
10-24 21:58
@疯狂的西红柿
在初级侧绕组上放置了一个R2CD型缓冲电路,以限制内部SiCMOSFET开关在关断期间看到的漏极-源极电压峰值,峰峰值怎么测量?

用示波器啊,交流用交流档,直流用直流档

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10-25 00:16

IC200是自启动的,使用内部高压电流源为BPP电容器(C207和C208)充电,充个电速度有多少呢?

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XHH9062
LV.9
13
10-25 23:19

内置隔离器件

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10-27 20:21

70W输出可以用到很多领域了

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沈夜
LV.8
15
10-28 00:22

如何设计具有高效率和宽输入范围的电动汽车电源?

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k6666
LV.9
16
12-13 09:51
@追魂幡℃
70W输出可以用到很多领域了

基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率可达95%,甚至在封闭式适配器中无需散热片即可实现高达100W的输出功率‌

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