那位高人推荐一下耐压600V/10A-20A的MOSFET管呀
那位高人推荐一下耐压600V/10A-20A的MOSFET管呀,谢谢
全部回复(11)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
2004年4月15日 --高效电源转换控制器及最佳整流器和MOSFET的领先供应商之一的安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN),宣布推出新的高压MOSFET产品线.推出这些新的600伏(V)MOSFET,扩展了公司的简化电源设计方案,用于包括开关模式电源、PWM马达控制、转换器和桥电路应用中.增加高压MOSFET后,现在安森美半导体可单独提供所有的电源设计重要有源元件.
高压MOSFET
新的NTD4N60、NTP6N60 和 NTP10N60器件特点为高至10安倍(A)的电流额定和10V时RDS(on)低至0.75欧姆.这些器件采用了安森美半导体的优秀平面TMOS7HV技术,可在要求最苛刻的应用中工作.门控充电极低,从而降低了驱动器损耗,取得比传统技术更高的效率.这些器件的雪崩能量额定使其在电源应用中可靠运行.
安森美半导体集成产品器件部副总裁兼总经理Ramesh Ramchandani说:“推出此产品只是安森美半导体涉足高压MOSFET市场的第一步,到今年末,我们将推出500-800 V HVMOS器件,具引以为傲的最佳RDS(on) 和开关性能.”
高压MOSFET
新的NTD4N60、NTP6N60 和 NTP10N60器件特点为高至10安倍(A)的电流额定和10V时RDS(on)低至0.75欧姆.这些器件采用了安森美半导体的优秀平面TMOS7HV技术,可在要求最苛刻的应用中工作.门控充电极低,从而降低了驱动器损耗,取得比传统技术更高的效率.这些器件的雪崩能量额定使其在电源应用中可靠运行.
安森美半导体集成产品器件部副总裁兼总经理Ramesh Ramchandani说:“推出此产品只是安森美半导体涉足高压MOSFET市场的第一步,到今年末,我们将推出500-800 V HVMOS器件,具引以为傲的最佳RDS(on) 和开关性能.”
0
回复
提示