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都是IGBT吸收电容惹的祸

最近用上 单管的 IGBT 并联来代替 IGBT模块,结构为全桥结构。原来在模块上用的吸收电容(两个电容串联在一起,引出头,尾,公共端的)  MKPH-SO IGBT吸收保护电容器。 单管电路的吸收电容也用这个电容来做吸收,发现,即使是空载,IGBT 也会发热很大。空载时候,散热器温度也上到65度。而我用RC吸收电路的话,散热器温度 几乎是接近常温的,也就是说 RC吸收,机器空载时候,流过IGBT电流很小。用专业的电容吸收,IGBT发热大。经分析是过吸收现象。 后来才去 把吸收电容 从 0.022uf 减为 0.01uf,今天装机,上电到200VDC时候,发现IGBT驱动波形极为不正常,震荡。初级过流保护也会动作。控制方式是 UC3846  电流峰值型反馈加上谐波补偿。请赐教,这个是什么问题,我不想用RC吸收了,电阻发热很大。
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ytwsdz
LV.7
2
2011-05-12 18:48

 

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mrwtc
LV.4
3
2011-05-13 08:43
还是推荐RC吸收,你先前做的电阻发热太大说明电阻功率选择不合适,电阻的功率要和RC中的C还有IGBT的频率相匹配。 如果只用C的话肯定是不如RC效果好
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327433171
LV.4
4
2011-05-14 02:16
@mrwtc
还是推荐RC吸收,你先前做的电阻发热太大说明电阻功率选择不合适,电阻的功率要和RC中的C还有IGBT的频率相匹配。如果只用C的话肯定是不如RC效果好
R C 是可以,最为稳定的,最常用的。我就是想去尝试用一个 专用的 吸收电容 是否那么神。
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左明
LV.8
5
2011-05-14 20:01
高导热陶瓷垫片,导热系数达24W/M,K,耐压10KV以上,比矽胶片导热绝缘好得多,是IGBT管最佳导热绝缘配套产品,可以提供样品测试,东莞长安左明QQ:413700881
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