变压器漏感与传导辐射的关系

我只知道漏感越大，MOS关断和开通时的震荡就大，MOS的电压和电流应力就大，传导的共模电流就大，但是辐射我就不知道了。。感觉应该也会大

等高手来。。

期待中

曾去做过EMI实验，似乎非常明显，实验次数不多，仅供参考。

1、漏感越小，初次级层间的电容越大，辐射测试容易通过，传导较难通过；

2、漏感越大，初次级层间的电容越小，辐射测试很难通过，传导较易通过；

3、以上仅是单端反激，分三明治绕法和顺序绕法测得；

4、NP、NS、LP等参数完全相同，开关频率65KHZ，PO=60W。

另外，小日本的开关电源手册中有个实例，关于超低噪声电源设计是采用

SMZ结构（应该是LLC）。关于变压器低噪声处理方面，其着重考虑的是初次级层间的电容。

在单端反激中，漏感LS与层电容CS似乎总是矛盾的，很难平衡。

但这种关系似乎在LLC中并不存在。