关于Mosfet的驱动问题(驱动波形)分析

mosfet的DS波形(全带宽)1145244776.tif

mosfet的DS波形(20M 带宽)1145244867.tif

mosfet的驱动波形(10uS)1145244975.tif

mosfet的驱动波形(200nS)1145245053.tif

mosfet的DS波形(全带宽)500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/40/1145245401.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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可以看出DS波形在全带宽和20M带宽有一些区别,主要是在开通的瞬间有一个很深的拖影,看好象是驱动电流过大的原因,可以增大其驱动电阻,但是mosfet很热!!

看200nS的驱动波形,明显出现好几个台阶,看起来好象驱动电流不足!!但是与前面的分析相反!!我用的是1n60c(1A,600V)mosfet!
两种分析不知哪个是对的!!请各位大侠指点一下!!

主要为驱动波形看起来让人费解!!!

有一个台阶是miller effect

第一个台阶为什么上升后又下降!!

Vds开通的瞬间为什么会有66V的拖影(全带宽),加大驱动电阻可以明显减小甚至没有拖影.

就是这个台阶是miller effect

Vds开通的瞬间为什么会有66V的拖影(全带宽),加大驱动电阻可以明显减小甚至没有拖影. 还有真的是带宽的问题吗?

拖影的原因是振荡!
加大了没有是因为振荡消失了
限制带宽了就没有,是因为振荡的频率比较高,所以

朋友,减小变压器的漏感就行,试试看!

我也一直怀疑是漏感偏大的原因,但没有办法解释,不知为何漏感会影响!!

不知你的电源其它性能如何

关注ING

从GS波形来看,是驱动能力不足,在上升沿振荡了;
但是再结合DS波形看,二者占空比差很多,所以主要问题是没有能控制MOSFET关断.
接个GS、DS双踪波形看看?

实际上占空比是一致的,我核对了一遍,只是我传的图不是同一个电压点而已!!改小驱动电阻,减小振荡不很明显!你说的"没能控制mosfet关断"我不是很理解,能否解释一下!

你回答的太笼统!有没有一个解释,为何会影响其振荡!?

做了一些评估!没有什么问题!但总是对这波形不理解,所以有些担心!!

同意你的说法,同时我还认为,次级漏感引起的反射电压在导通瞬间叠加上去,形成如此拖影.

值得学习  关注!

寄生电感和输入电容发生振荡,电阻的作用在于吸收振荡的能量(阻尼而已).另外看你的驱动波形,我认为驱动不足.

从第一张FET的VDS波形图看可知1.是在输入电压相对较高时所测的.2.该波形特性是MOSFET的DS两端等效结电容与变压器等效电感(包括变压器漏感)谐振所形成的.3.第三张是FET的驱动波形.4.从第一、二张看FET的VDS电压波形可知FET工作很正常.5.适当调整工作频率可让其工作在软开关状态.

关注中,占个位置~