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MOSFET的困惑,难道只是Tr/Tf的区别吗?

我在做120W 40KHZ的逆变电源,初级为全桥结构,次级没有整流,无源谐振网络,

一开始选用SIHF22N60E,VISHAY,Tr=68ns,Tf=54ns,当功率急降时,次级反射到初级的尖峰特别高

吸收量很大的情况下,也不行

后选用FDPF20N50T,仙童的老管,Tr=375ns,Tf=105ns,在同样的吸收情况的情况下,反射尖峰可忽略不计,

其他参数也对比了,难道只是上升下降时间的不一样

请教各位大神,是否还有其他原因?

因为仙童此管将要停产,还很难找到类似此慢速和TO220FP封装的管,比较困惑,能否有替代型号?

望各大神赐教。

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10227
LV.7
2
2012-07-11 11:41

升下降时间不能比较因测试条件不同,

Rg一个使用4.7Ω,一个使用25Ω,

差距在Qg, 反射尖峰应该是由此影响,可选择Qg小试试.

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2012-07-11 11:54
上升下降时间不同是会有点影响,变压器漏感也很关键。跟FDPF20N50T相近的还有IRFP460等,在mos管DS间并电容试过没有?
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shj91111
LV.2
4
2012-07-11 11:58
@10227
升下降时间不能比较因测试条件不同,Rg一个使用4.7Ω,一个使用25Ω,差距在Qg,反射尖峰应该是由此影响,可选择Qg小试试.
同样是10Ω,VISHAY的管已经加大了栅极电阻了
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shj91111
LV.2
5
2012-07-11 11:59
@ymyangyong
上升下降时间不同是会有点影响,变压器漏感也很关键。跟FDPF20N50T相近的还有IRFP460等,在mos管DS间并电容试过没有?
试过,并过电容,反射尖峰一样挺高
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shj91111
LV.2
6
2012-07-11 12:06
我还怀疑是不同厂家工艺和技术的区别,但是没有相关资料了解各家MOSFET的区别
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2012-07-11 12:30
@shj91111
我还怀疑是不同厂家工艺和技术的区别,但是没有相关资料了解各家MOSFET的区别
**此帖已被管理员删除**
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10227
LV.7
8
2012-07-11 12:59
@ymyangyong
**此帖已被管理员删除**

这个我常用,很不错用.

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shj91111
LV.2
9
2012-07-11 13:50
@ymyangyong
**此帖已被管理员删除**
谢谢了,我看了无数遍了,都能背下来了
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shvip77
LV.4
10
2012-07-13 17:05
@shj91111
谢谢了,我看了无数遍了,都能背下来了

你好 我这边有 20N60 或20N65 TO-220F 的封装  可以给你测试下 看看效果。 内阻很低 发热量很小。你试试看。。。。 QQ 526735147   于生

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bdzn
LV.9
11
2012-07-14 21:12
@ymyangyong
**此帖已被管理员删除**
不错。
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