电容是一种可以存储一定电荷量的元器件，当电荷在电场中受到力移动时，如果两个导体之间有介质材料阻碍电荷移动，从而使得电荷累积在导体上造成电荷的累计存储，则存储的电荷量称为电容。
当两个极板受到电压时，此时介质中的正负电荷往两极移动，同时束缚住加在两个极板上的电压，随着加在两个极板电压越来越高，移动向两极的电荷也越来越多，电容存储的电荷量也就越多，用公式Q=CU表示。
去耦的作用是给不需要的噪声信号提供低阻抗回路。
电容的去耦其实可以从多个角度来考虑： 1.分压角度，对于特定频率信号，当后端阻抗变低时，分得的电压更低，形成滤波； 2.电容充放电角度，在不考虑寄生参数的情况下，当原始信号的频率很高时，对应此时周期很小，而电容的充电时间是3-5RC，信号周期越短，电容电压上升的越慢，后端通常该频率的电压越小，该信号的频率越难通过该电容到达后级，形成滤波。
耦合是指将前级信号尽可能无损耗的加到后级电路中，同时去掉不需要的信号，例如耦合电容就是在将交流信号从前级耦合到后级的同时，隔开前级电路中的直流成分。
电容等效为引线导体损耗R1，寄生电感L，等效电容C，介质损耗R2，通常R2较小，近似看作L和C的串联，当L和C阻抗形成共轭时，L和C形成谐振，此时电路呈现纯电阻电路，电路整体阻抗达到最小。我们基于LTSPICE软件对该性能进行仿真：
选取电容为10uf，2.5nH，此时谐振频率为1MHz (
) ,频率为谐振频率时1MHz，电压峰峰值为200uv。
当频率高于谐振频率时，分别为2MHz,20MHz，此时电压峰峰值为4mV,60mV。
当频率低于谐振频率时，分别为10KHz,1KHz，此时电压峰峰值为320mV,1.6V。
总结：可以发现，当频率处于LC谐振频率点附近时，原始频率的峰峰值可以由原来的2V下降到200uv。 注：在不考虑电容的谐振效应情况下，电容滤波的本质是充放电，当原始信号的频率很高时，对应此时周期很小，而电容的充电时间是3-5RC，信号周期越短，电容电压上升的越慢，电压数值越小，该信号的频率越难通过该电容到达后级，形成滤波。