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RT-Thread驱动之路：stm32设备驱动开发之uart操作方法③
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RT-Thread驱动之路：stm32设备驱动开发之uart设备创建②
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RT-Thread驱动之路：stm32设备驱动开发之uart注册①
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RTC晶振为何钟情32.768KHz？
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PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动
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PCIM2024论文摘要｜离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势
英飞凌工业半导体
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一款适用于光伏应用的半桥评估板设计
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如何理解IGBT的退饱和现象以及安全工作区
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仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题
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英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
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器件、电路和方案——直流充电桩课程合集
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IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？
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