详见我在百度空间的文章：http://hi.baidu.com/mastergan/item/4d1f32cabc19f007c610b219Level：需要设置的正弦波输出振幅，影响OutRef的曲线和Out的值。MaxValue：是正弦波的分辨率影响的最大PWM设置值。PointCount：每1/4周期内的点数。PointNumber：一个周期内的点的顺序号。Degree：每个点的角度。一个周期是2pi().SineValue：每个点的参考sine函数值。FullSine：根据最大PWM值计算的各个点的最大振幅，含1/10死区计算。OutRef：根据Level计算的各个点对应的振幅，其计算公式的分母是最大输出Level，上传的例子是255。Result：各个点最大振幅的绝对值，含1/10死区计算。Output：根据Level计算的各个点对应振幅的绝对值。Char：各个点的最大振幅的绝对值组成的数组。

对于多字节数据类型的存储一般是低字节在前的。改成下面的试试？unionu{         //定义一个共用体类型 uintword; struct{ucharlo;ucharhi;}bytes;};//嵌套定义一个结构类型变量

那个MOSFET是为了关断SCR的

提高母线电压并不一定能提高效率：整流二极管的恢复时间增加导致开关损坏增加；另外更多的电压加在输出滤波电感上，需要增加电感匝数提高电感量来应对，从而导致电感损耗的增加。推挽电路次级整流管的应力是输出电压的两倍，也就是说你要600V的电压就要耐压1200V以上的整流管，这对材料的选择也是不利的。

不好意思，是电压平方差，已经改过来了

以效率100％计算：能量W=4*200=800J,根据电容能量W=(C*V*V)/2,则C=800*2/(2.5*2.5-1.2*1.2)=330F实际可能需要两级变换，再加上余量，电容量要翻倍，也就是说需要660法拉左右的电容

乖乖，初级电流是梯形波，功耗要大1.414倍。电解电容也是功耗的大头。估计他的效率是这样算的：效率＝(Iin×Vin)/(Io×Vo)

你的原理图有缺陷,推挽电路MOSFET的驱动电压只有5V,可以修改电路改为12V,这样MOSFET的发热会减少很多.

散热器这么小,开不了几分钟就会很烫的啦

怎么都是没有听说过的品牌?美国APC的中小机型在中国做得最不错梅兰日兰的大中型机型也做得不错,其它GE(原IMV),POWERWARE(原爱克赛)等也算是老名牌国产品牌爱默生的立波特是最好的其它像台达、科华和科士达等是比较大的品牌,但性能一般这两年进来很多进口的"杂牌"...