xiongls：
看了一上午的书,我自己总结一下吧,不对的地方多多指教.首先FET分为JFET和MOSFET,也就是结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管,二者对电压控制电压的实现方法不一样,但结果都是用GS电压去控制DS电流.而且都分为三个区域,可变电阻区恒流区和击穿区.以N-MOSFET增强型分析,不管其用与放大还是开关都是工作在恒流区(在开关电源我只用到其做开关用的,没玩过模拟,所以具体的信号放大电路没用过),在恒流区,IDS跟VDS无关,只由VGS决定.以2N7000为列(下图),开启电压为2.1V,由输出特性图上可看到IDS的最大值是和VGS有关系的,但是当VGS大于10V时,IDS达到其最大值,此时再增加VGS已没意义.而在VGS从3V-10V变化时IDS的最大值(对应于RDS的最小值)是跟VGS密切相关的.这就是为什么用做N-MOS用最开关管时一般驱动电压都会大于10V的原因.回到用在运放恒流上的问题(第一贴),我觉的这要分两个方面来考虑:1、VGS》VT(开启电压)且VGD=VGS-VDS《VT及VDS〈VGS+VT时,FET工作在可变电阻区,在这个区域内通过改变VGS的值来改变斜线的斜率也就是DS之间的电阻,从而改变输出电流IDS,达到恒流目的.2、VDS〉VGS+VT时,工作在恒流区,而此时VGS〈10V,IDS由VGS的值控制,改变VGS就改变了可输出的最大电流,达到恒流目的.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/2946501258179457.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">以上!谢谢……