遇到这类的问题，应该继续试验下去，而不是直接“求解”。先将MOS去掉，直接测波形，注意相位去试。再将各元件都试着去掉，直到最后只有一只电阻为负载，看是不是还有此类的现象。在采取各种方法中，慢慢就找出了问题所在，如果是低级错误造成的，也可以在这里发现。

直接用此类的IC比较简单吧，TI的就行了，或者凌特的，随便网上一查就有不少型号呢

如果小型化追求，就做DC/DC的，推荐用TI的40210和美信的1486，价位都很高，整体成本一般几美元。如果不要求小型化，直接做一个反激电路，用变压器生成正、负压。

也就是说，恒压源并不是纯恒压，恒流源也不是纯恒流。恒压源同时可做成限流，这种电路在电流达到一定程度后它就是有恒流特性了；恒流源也有限压功能设计，在电压达到一定程度就不再上升了，也就不再恒流了。　看看，象绕口令一样。　具体限压多少、限流多少，就看你的电路、元件的耐压与需要了。

二楼回答的某些地方有不对，错误在于：1、理解不对，“哪个电容先充满电，对应的三极管先导通”是错误的，事实恰恰与此相反，是哪个电容先充满电，哪个电容就先截止。2、描述不对，“假设C先充满电，即BG2导通”“一定时间后，另一电容充满电”，这两句有最基本的错误，事实上，当BG2导通后，另一电容（右边的电容）两端电压接近于0V，根本不会发生充电现象了。实际工作是这样的，当电路通电后，BG2与BG2经电容C与C2（另一只电容）为对方的基极提供电流，RB1与RB2的阻值远大于RC1与RC2，它们的作用是为两只二极管提供一个起始电压，使三极管工作在放大状态，波形接近于方波而不失真。由于晶体管自身的微小的差别，总会有一只三极管先跳出起始电压（如果是硅管，就是0.75V左右），进入一个微小的导通状态，假定BG1先导通，这时VC1的电压就下降一些，电容两端电压不能突变，这时C右边的电压也下降一些，BG2基极电压下降，它的下降引起BG2偏向截止，这时VC2电压上升，由于电容C2的存在，引起BG1基极电压上升，使BG1更加导通，VC1更加低。。。。整个过程是这样的：BG1导通－－VC1下降－－BG2趋向截止－－VC2升高－－BG1更加导通－－回到前面形成一个闭环的正反馈现象，最后的结果是：BG1迅速达到饱和状态，BG2迅速达到截止状态，这是第一个过程。一段时间后，电容C2充满电，这时BG1基极电压开始下降（仅RB1只能维持一个微小的起始电流），它的下降引起BG1退出饱和状态而进入放大状态，VC1电压上升。。。。。。过程是：C2充满－－BG1退出饱和－－VC1上升－－BG2其极上升－－BG2由截止转为导通状态－－VC2下降－－引起BG1基极电压更加下降－－VC1更加低。。。。。结果是：BG2迅速由截止转为饱和，而BG1由饱和转为截止。如此反复。VC1与VC2电压呈近似方波，如果C＝C2，那么占空比为50%方波；如果C1小于C2，波形呈比例关系的改变。　电容越大，频率越低；频率的计算与电容大小、电阻大小、三极管的f值有关。这是一个非常简单的电路，如果理解不开，证明你的模电太差，做电路还未达到初级程度，非常不利于自己的发展。因为电路太简单，所以高手都不出来回答，也嫌麻烦，这种极为简单的电路，应该是最基本的电路知识之一，你是学生吧？以后毕业了，参加工作后，就会对这些电路熟练的运用了。

一般是电容允许纹波太小引起的，也和频率不够的现象一样。这种情况，很少是由于电容耐压不够引起的炸裂，因为，如果换用14V电池供电，就不会引起炸掉。

呵呵我倒有一句开玩笑的话送你:从楼主的贴子中看出,你领导什么都不懂(指电子),既然什么都不懂,那你就告诉他"我已经测出电池的频率,马上就可以做出高效率的充电方案来,有没有奖金?",然后你直接做一个快速充电的电路就OK了.祝你能拿到天方夜谭式的奖金.

打错了一个词,"损耗角的正切,相当于无功功率与有功功率的比值",把"比值"打成了"幽会",在此更正,歉意

说的对,在这里我再简单的补充一点点电容的基础知识,看是否对你有些用.但由于自身知识限制与表达不力,可能会有记错或说错的地方,仅供参考.电容在选用的过程中,主要看它的几个参数能不能达到电路要求,比较重要的参数有:容量,容量偏差,耐温,耐压值．这几个是早期的电子电路需要考虑的重要参数,是以现在的教学与元件设计上的习惯均少不了这几个数据,由于比较常见,你已经能明白其中的含义,所以这里不再赘述.除了上述几个参数外,近期的电路在规模集成电路与大规模集成电路飞速发展的情况下,又出现了低压工作电路(2V以下的高速电路甚至更低的电压的运算电路,例如电脑里的CPU,工作电压就是1.8V),这就对电容的选择提出了更为深层次的要求,这些要求有:ESR值,允许的纹波电流值,温度特性,损耗角的正切,漏电电流值,Q值等.我分别简单的说一下:1  ESR值,这个是非常重要的参数,它是EquivalentSeriesResistance的简写,意思就是等效串联电阻值,理想的电容两端电压不能突变,但有了ESR后,电容两端的电压就有了突变的条件了,这是电容产生纹波的重要条件,尤其是低电压下,纹波系数对电路产生了非常麻烦的后果,所以在低压工作的电路选用电容时,一定要考虑ESR,这个值越小越好.2  允许的纹波电压值,电容工作时,自身会有很多因素影响到自身功耗,例如电解电容是用”卷筒”的方式制作的,这就有了一个电感值,在工作时这个电感值会影响电容的工作效率,电容的充放电的最大允许电流也是有限制的,纹波越大,对电容的要求越高,所以电容允许的纹波电压值是一个非常重要的参数,此值越高越好.3  温度特性,受限于制造材料,电容的各参数与温度有着非常密切的关系,温度升高时,各种特性会变差,例如铝电解电容,受温度的影响最明显,而钽电容相对来讲就小一些.损耗角正切(TAN),其实也就是电容的Q值,相当于无功功率和有功功率的幽会,这个值越高越好,4  漏电电流值:介质会或多或少的漏一点点电的,所以,这个值越低越好.

除了耐压外,也和工作频率有关.注意电容允许的纹波是否达到